창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-1N5381B/TR12 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 미준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | 1N5333B-1N5388B | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
제조업체 | Microsemi Corporation | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
전압 - 제너(공칭)(Vz) | 130V | |
허용 오차 | ±5% | |
전력 - 최대 | 5W | |
임피던스(최대)(Zzt) | 190옴 | |
전류 - 역누설 @ Vr | 500nA @ 93.6V | |
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.2V @ 1A | |
작동 온도 | -65°C ~ 150°C | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | T-18, 축방향 | |
공급 장치 패키지 | T-18 | |
표준 포장 | 3,000 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | 1N5381B/TR12 | |
관련 링크 | 1N5381, 1N5381B/TR12 Datasheet, Microsemi Corporation Distributor |
CBR02C150F8GAC | 15pF 10V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0201(0603 미터법) 0.024" L x 0.012" W(0.60mm x 0.30mm) | CBR02C150F8GAC.pdf | ||
VJ0805D201JXBAR | 200pF 100V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0805(2012 미터법) 0.079" L x 0.049" W(2.00mm x 1.25mm) | VJ0805D201JXBAR.pdf | ||
SIT9120AI-2D3-25E125.000000T | OSC XO 2.5V 125MHZ | SIT9120AI-2D3-25E125.000000T.pdf | ||
1N4972US | DIODE ZENER 39V 5W E MELF | 1N4972US.pdf | ||
103R-122H | 1.2µH Unshielded Inductor 360mA 740 mOhm Max 2-SMD | 103R-122H.pdf | ||
RC0402DR-07270RL | RES SMD 270 OHM 0.5% 1/16W 0402 | RC0402DR-07270RL.pdf | ||
RT0603CRE072K49L | RES SMD 2.49K OHM 1/10W 0603 | RT0603CRE072K49L.pdf | ||
RT0805BRE0748K7L | RES SMD 48.7K OHM 0.1% 1/8W 0805 | RT0805BRE0748K7L.pdf | ||
CRCW25125M11FKEG | RES SMD 5.11M OHM 1% 1W 2512 | CRCW25125M11FKEG.pdf | ||
RT2512BKE0732R4L | RES SMD 32.4 OHM 0.1% 3/4W 2512 | RT2512BKE0732R4L.pdf | ||
RCS040211K5FKED | RES SMD 11.5K OHM 1% 1/5W 0402 | RCS040211K5FKED.pdf | ||
DP11SVN20B15P | DP11S VER 20P NDET 15P M7*7MM | DP11SVN20B15P.pdf |