창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-1N5383BG | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | 1N53xx(B, G) Series | |
PCN 설계/사양 | Datasheet Update 14/Aug/2008 | |
카탈로그 페이지 | 1559 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
제조업체 | ON Semiconductor | |
계열 | - | |
포장 | 벌크 | |
부품 현황 | 유효 | |
전압 - 제너(공칭)(Vz) | 150V | |
허용 오차 | ±5% | |
전력 - 최대 | 5W | |
임피던스(최대)(Zzt) | 330옴 | |
전류 - 역누설 @ Vr | 500nA @ 114V | |
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.2V @ 1A | |
작동 온도 | -65°C ~ 200°C | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | T-18, 축방향 | |
공급 장치 패키지 | 축방향 | |
표준 포장 | 1,000 | |
다른 이름 | 1N5383BG-ND 1N5383BGOS | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | 1N5383BG | |
관련 링크 | 1N53, 1N5383BG Datasheet, ON Semiconductor Distributor |
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![]() | CSD13306WT | MOSFET N-CH 12V 6DSBGA | CSD13306WT.pdf | |
![]() | AOK8N80 | MOSFET N-CH 800V 7.4A TO247 | AOK8N80.pdf | |
![]() | IXGP12N100AU1 | IGBT 1000V 24A 100W TO220AB | IXGP12N100AU1.pdf | |
![]() | ERJ-PA3F15R0V | RES SMD 15 OHM 1% 1/4W 0603 | ERJ-PA3F15R0V.pdf | |
![]() | ESR18EZPJ200 | RES SMD 20 OHM 5% 1/3W 1206 | ESR18EZPJ200.pdf | |
![]() | ERJ-3EKF73R2V | RES SMD 73.2 OHM 1% 1/10W 0603 | ERJ-3EKF73R2V.pdf | |
![]() | MCR10ERTF68R1 | RES SMD 68.1 OHM 1% 1/8W 0805 | MCR10ERTF68R1.pdf | |
![]() | CPR0316R00KE14 | RES 16 OHM 3W 10% RADIAL | CPR0316R00KE14.pdf | |
![]() | HMC1097LP4E | RF Modulator IC 100MHz ~ 6GHz 24-VFQFN Exposed Pad | HMC1097LP4E.pdf |