창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-1N5385E3/TR8 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | 1N5333B-1N5388B | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
제조업체 | Microsemi Corporation | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
전압 - 제너(공칭)(Vz) | 170V | |
허용 오차 | ±20% | |
전력 - 최대 | 5W | |
임피던스(최대)(Zzt) | 380옴 | |
전류 - 역누설 @ Vr | 500nA @ 122V | |
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.2V @ 1A | |
작동 온도 | -65°C ~ 150°C | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | T-18, 축방향 | |
공급 장치 패키지 | T-18 | |
표준 포장 | 1,000 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | 1N5385E3/TR8 | |
관련 링크 | 1N5385, 1N5385E3/TR8 Datasheet, Microsemi Corporation Distributor |
VJ0603D1R7CLCAP | 1.7pF 200V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0603(1608 미터법) 0.063" L x 0.031" W(1.60mm x 0.80mm) | VJ0603D1R7CLCAP.pdf | ||
445C25K12M00000 | 12MHz ±20ppm 수정 8pF 50옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) 2-SMD | 445C25K12M00000.pdf | ||
445I32F30M00000 | 30MHz ±30ppm 수정 24pF 30옴 -40°C ~ 85°C 표면실장(SMD, SMT) 2-SMD | 445I32F30M00000.pdf | ||
SIT1602AC-13-18E-24.000000D | OSC XO 1.8V 24MHZ OE | SIT1602AC-13-18E-24.000000D.pdf | ||
SIT3921AI-2C2-25NZ125.000000Y | OSC XO 2.5V 125MHZ | SIT3921AI-2C2-25NZ125.000000Y.pdf | ||
SBR20M150CTFP | DIODE ARRAY SBR 150V 10A ITO220 | SBR20M150CTFP.pdf | ||
PE-53803SNL | 118µH Unshielded Toroidal Inductor 200mA 1.8 Ohm Nonstandard | PE-53803SNL.pdf | ||
ERA-8AEB6191V | RES SMD 6.19K OHM 0.1% 1/4W 1206 | ERA-8AEB6191V.pdf | ||
CMF55900R00BHRE | RES 900 OHM 1/2W 0.1% AXIAL | CMF55900R00BHRE.pdf | ||
WNE250FET | RES 250 OHM 5W 1% AXIAL | WNE250FET.pdf | ||
HMC580ST89E | RF Amplifier IC General Purpose 0Hz ~ 1GHz SOT-89-3 | HMC580ST89E.pdf | ||
B59008C150A40 | PTC Thermistor 250 Ohm Radial | B59008C150A40.pdf |