창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-1N5400G-T | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | 1N5400G,08G | |
특정유해물질규제지침(RoHS) 정보 | RoHS Cert of Compliance | |
EDA/CAD 모델 | Accelerated Designs에서 다운로드 | |
카탈로그 페이지 | 1585 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 다이오드, 정류기 - 단일 | |
제조업체 | Diodes Incorporated | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
다이오드 유형 | 표준 | |
전압 - DC 역방향(Vr)(최대) | 50V | |
전류 -평균 정류(Io) | 3A | |
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.1V @ 3A | |
속도 | 표준 회복 >500ns, > 200mA(Io) | |
역회복 시간(trr) | 2µs | |
전류 - 역누설 @ Vr | 5µA @ 50V | |
정전 용량 @ Vr, F | 40pF @ 4V, 1MHz | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | DO-201AD, 축방향 | |
공급 장치 패키지 | DO-201AD | |
작동 온도 - 접합 | -65°C ~ 150°C | |
표준 포장 | 1,200 | |
다른 이름 | 1N5400G 1N5400GDITR 1N5400GT 1N5400GTR 1N5400GTR-ND | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | 1N5400G-T | |
관련 링크 | 1N54, 1N5400G-T Datasheet, Diodes Incorporated Distributor |
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![]() | FVXO-LC53B-62.208 | 62.208MHz LVDS VCXO Oscillator Surface Mount 3.3V 100mA Enable/Disable | FVXO-LC53B-62.208.pdf | |
![]() | CZRU52C3V9 | DIODE ZENER 3.9V 150MW 0603 | CZRU52C3V9.pdf | |
![]() | IRF640PBF | MOSFET N-CH 200V 18A TO-220AB | IRF640PBF.pdf | |
![]() | IMC1812ES3R9K | 3.9µH Unshielded Wirewound Inductor 330mA 900 mOhm Max 1812 (4532 Metric) | IMC1812ES3R9K.pdf | |
![]() | RT0603DRD07205KL | RES SMD 205K OHM 0.5% 1/10W 0603 | RT0603DRD07205KL.pdf | |
![]() | CRCW02011M82FNED | RES SMD 1.82M OHM 1% 1/20W 0201 | CRCW02011M82FNED.pdf | |
![]() | YC324-FK-071K47L | RES ARRAY 4 RES 1.47K OHM 2012 | YC324-FK-071K47L.pdf |