창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-1N5551US | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 미준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | 1N5550US thru 1N5554US | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 다이오드, 정류기 - 단일 | |
제조업체 | Microsemi Corporation | |
계열 | - | |
포장 | 벌크 | |
부품 현황 | 유효 | |
다이오드 유형 | 표준 | |
전압 - DC 역방향(Vr)(최대) | 400V | |
전류 -평균 정류(Io) | 3A | |
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.2V @ 9A | |
속도 | 표준 회복 >500ns, > 200mA(Io) | |
역회복 시간(trr) | 2µs | |
전류 - 역누설 @ Vr | 1µA @ 400V | |
정전 용량 @ Vr, F | - | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | SQ-MELF, B | |
공급 장치 패키지 | D-5B | |
작동 온도 - 접합 | -65°C ~ 175°C | |
표준 포장 | 1 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | 1N5551US | |
관련 링크 | 1N55, 1N5551US Datasheet, Microsemi Corporation Distributor |
HSZ222KAQBRAKR | 2200pF 500V 세라믹 커패시터 Y5T 방사형, 디스크 0.354" Dia(9.00mm) | HSZ222KAQBRAKR.pdf | ||
FWP-1000 | FUSE BUSS SEMI CONDUCTOR | FWP-1000.pdf | ||
ERZ-V10D361 | VARISTOR 360V 3.5KA DISC 10MM | ERZ-V10D361.pdf | ||
3386X-1-103T | 10k Ohm 0.5W, 1/2W PC Pins Through Hole Trimmer Potentiometer Cermet 1 Turn Side Adjustment | 3386X-1-103T.pdf | ||
ISC1210ER1R0J | 1µH Shielded Wirewound Inductor 400mA 600 mOhm Max 1210 (3225 Metric) | ISC1210ER1R0J.pdf | ||
EL1017(TB)-V | Optoisolator Transistor Output 5000Vrms 1 Channel 4-SOP (2.54mm) | EL1017(TB)-V.pdf | ||
RCP0505B62R0JS6 | RES SMD 62 OHM 5% 5W 0505 | RCP0505B62R0JS6.pdf | ||
CMF5599K000FER6 | RES 99K OHM 1/2W 1% AXIAL | CMF5599K000FER6.pdf | ||
WW1FT1K69 | RES 1.69K OHM 1W 1% AXIAL | WW1FT1K69.pdf | ||
OJ3325E-R52 | RES 3.3K OHM 1/8W 5% AXIAL | OJ3325E-R52.pdf | ||
CP00154R000KB143 | RES 4 OHM 15W 10% AXIAL | CP00154R000KB143.pdf | ||
E2FM-X5D1-M1TGJ-T 0.3M | Inductive Proximity Sensor 0.197" (5mm) IP67 Cylinder, Threaded - M18 | E2FM-X5D1-M1TGJ-T 0.3M.pdf |