창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-1N5620US | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 미준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | 1N5614US thru 1N5622US | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 다이오드, 정류기 - 단일 | |
제조업체 | Microsemi Corporation | |
계열 | - | |
포장 | 벌크 | |
부품 현황 | 유효 | |
다이오드 유형 | 표준 | |
전압 - DC 역방향(Vr)(최대) | 800V | |
전류 -평균 정류(Io) | 1A | |
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.3V @ 3A | |
속도 | 표준 회복 >500ns, > 200mA(Io) | |
역회복 시간(trr) | 2µs | |
전류 - 역누설 @ Vr | 500nA @ 800V | |
정전 용량 @ Vr, F | - | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | SQ-MELF, A | |
공급 장치 패키지 | D-5A | |
작동 온도 - 접합 | -65°C ~ 200°C | |
표준 포장 | 1 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | 1N5620US | |
관련 링크 | 1N56, 1N5620US Datasheet, Microsemi Corporation Distributor |
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![]() | GRM1556S1HR80BD01D | 0.80pF 50V 세라믹 커패시터 S2H 0402(1005 미터법) 0.039" L x 0.020" W(1.00mm x 0.50mm) | GRM1556S1HR80BD01D.pdf | |
![]() | 0312015.H | FUSE GLASS 15A 32VAC 3AB 3AG | 0312015.H.pdf | |
![]() | LP160F35IET | 16MHz ±30ppm 수정 20pF 40옴 -40°C ~ 85°C 표면실장(SMD, SMT) HC49/US | LP160F35IET.pdf | |
![]() | 1N4589R | DIODE GEN PURP 300V 150A DO205AA | 1N4589R.pdf | |
![]() | RN102-1.5-02 | 1.6mH @ 10kHz 2 Line Common Mode Choke Through Hole 1.5A (Typ) DCR 100 mOhm (Typ) | RN102-1.5-02.pdf | |
![]() | S4924-561K | 560nH Shielded Inductor 1.075A 330 mOhm Max Nonstandard | S4924-561K.pdf | |
![]() | IHSM3825PJ561L | 560µH Unshielded Inductor 210mA 8.85 Ohm Max Nonstandard | IHSM3825PJ561L.pdf | |
![]() | 2982647 | Solid State Relay SPST-NO (1 Form A) 4-SIP | 2982647.pdf | |
![]() | RT0603BRD071K62L | RES SMD 1.62KOHM 0.1% 1/10W 0603 | RT0603BRD071K62L.pdf | |
![]() | MBA02040C4703FRP00 | RES 470K OHM 0.4W 1% AXIAL | MBA02040C4703FRP00.pdf | |
![]() | CW005600R0JS73 | RES 600 OHM 6.5W 5% AXIAL | CW005600R0JS73.pdf |