창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-1N5802US | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 미준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | 1N5802,04,06US,URS | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 다이오드, 정류기 - 단일 | |
제조업체 | Microsemi Corporation | |
계열 | - | |
포장 | 벌크 | |
부품 현황 | 유효 | |
다이오드 유형 | 표준 | |
전압 - DC 역방향(Vr)(최대) | 50V | |
전류 -평균 정류(Io) | 1A | |
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 875mV @ 1A | |
속도 | 고속 회복 =< 500 ns, > 200mA(Io) | |
역회복 시간(trr) | 25ns | |
전류 - 역누설 @ Vr | 1µA @ 50V | |
정전 용량 @ Vr, F | 25pF @ 10V, 1MHz | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | SQ-MELF, A | |
공급 장치 패키지 | D-5A | |
작동 온도 - 접합 | -65°C ~ 175°C | |
표준 포장 | 1 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | 1N5802US | |
관련 링크 | 1N58, 1N5802US Datasheet, Microsemi Corporation Distributor |
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![]() | BSZ150N10LS3GATMA1 | MOSFET N-CH 100V 40A 8TSDSON | BSZ150N10LS3GATMA1.pdf | |
![]() | RG1005V-8450-B-T5 | RES SMD 845 OHM 0.1% 1/16W 0402 | RG1005V-8450-B-T5.pdf | |
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![]() | CMF5597R600BEEB | RES 97.6 OHM 1/2W .1% AXIAL | CMF5597R600BEEB.pdf | |
![]() | MAX6636UP9A+ | SENSOR TEMPERATURE SMBUS 20TSSOP | MAX6636UP9A+.pdf |