창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-1N5918APE3/TR12 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | 1N5913BG-1N5956BG | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
제조업체 | Microsemi Corporation | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
전압 - 제너(공칭)(Vz) | 5.1V | |
허용 오차 | ±10% | |
전력 - 최대 | 1.5W | |
임피던스(최대)(Zzt) | 4옴 | |
전류 - 역누설 @ Vr | 5µA @ 2V | |
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.2V @ 200mA | |
작동 온도 | -65°C ~ 150°C | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | DO-204AL, DO-41, 축 | |
공급 장치 패키지 | DO-204AL(DO-41) | |
표준 포장 | 4,000 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | 1N5918APE3/TR12 | |
관련 링크 | 1N5918A, 1N5918APE3/TR12 Datasheet, Microsemi Corporation Distributor |
DEA1X3D560JA2B | 56pF 2000V(2kV) 세라믹 커패시터 SL 방사형, 디스크 0.236" Dia(6.00mm) | DEA1X3D560JA2B.pdf | ||
250R05L430KV4T | 43pF 25V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0201(0603 미터법) 0.024" L x 0.012" W(0.60mm x 0.30mm) | 250R05L430KV4T.pdf | ||
C0603C470K5GALTU | 47pF 50V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0603(1608 미터법) 0.063" L x 0.031" W(1.60mm x 0.80mm) | C0603C470K5GALTU.pdf | ||
12102U3R6BAT2A | 3.6pF 200V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 1210(3225 미터법) 0.126" L x 0.098" W(3.20mm x 2.49mm) | 12102U3R6BAT2A.pdf | ||
MA-505 10.2400M-C0 | 10.24MHz ±50ppm 수정 18pF 60옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, J-리드(Lead) | MA-505 10.2400M-C0.pdf | ||
ASTMHTA-106.250MHZ-XR-E | 106.25MHz LVCMOS MEMS (Silicon) Oscillator Surface Mount 2.25 V ~ 3.63 V Enable/Disable | ASTMHTA-106.250MHZ-XR-E.pdf | ||
23Z106SMNL-T | 6 Line Common Mode Choke Surface Mount DCR 200 mOhm | 23Z106SMNL-T.pdf | ||
XDL15-2-020S | 2.0ns Inductor Delay Line 2-SMD | XDL15-2-020S.pdf | ||
RCH110BNP-681K | 680µH Unshielded Wirewound Inductor 690mA 540 mOhm Max Radial | RCH110BNP-681K.pdf | ||
HS100 10K J | RES CHAS MNT 10K OHM 5% 100W | HS100 10K J.pdf | ||
TRR18EZPF2491 | RES SMD 2.49K OHM 1% 1/4W 1206 | TRR18EZPF2491.pdf | ||
WW2JBR200 | RES 0.2 OHM 1.5W 5% AXIAL | WW2JBR200.pdf |