창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-1N5919P/TR12 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 미준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | 1N5913BG-1N5956BG | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
제조업체 | Microsemi Corporation | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
전압 - 제너(공칭)(Vz) | 5.6V | |
허용 오차 | ±20% | |
전력 - 최대 | 1.5W | |
임피던스(최대)(Zzt) | 2옴 | |
전류 - 역누설 @ Vr | 5µA @ 3V | |
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.2V @ 200mA | |
작동 온도 | -65°C ~ 150°C | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | DO-204AL, DO-41, 축 | |
공급 장치 패키지 | DO-204AL(DO-41) | |
표준 포장 | 4,000 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | 1N5919P/TR12 | |
관련 링크 | 1N5919, 1N5919P/TR12 Datasheet, Microsemi Corporation Distributor |
![]() | GRM0335C1H620JA01D | 62pF 50V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0201(0603 미터법) 0.024" L x 0.012" W(0.60mm x 0.30mm) | GRM0335C1H620JA01D.pdf | |
![]() | UP050B222K-A-BZ | 2200pF 50V 세라믹 커패시터 B 축방향 0.087" Dia x 0.126" L(2.20mm x 3.20mm) | UP050B222K-A-BZ.pdf | |
![]() | 445W23B25M00000 | 25MHz ±20ppm 수정 13pF 40옴 0°C ~ 50°C 표면실장(SMD, SMT) 2-SMD | 445W23B25M00000.pdf | |
![]() | SBR60A300CT | DIODE ARRAY SBR 300V 30A TO220AB | SBR60A300CT.pdf | |
![]() | CDRH104RNP-220NC | 22µH Shielded Inductor 2.5A 73 mOhm Max Nonstandard | CDRH104RNP-220NC.pdf | |
![]() | MLG0402Q4N3ST000 | 4.3nH Unshielded Multilayer Inductor 180mA 1.2 Ohm Max 01005 (0402 Metric) | MLG0402Q4N3ST000.pdf | |
![]() | ERJ-1GEJ514C | RES SMD 510K OHM 5% 1/20W 0201 | ERJ-1GEJ514C.pdf | |
![]() | MCR18EZHJ160 | RES SMD 16 OHM 5% 1/4W 1206 | MCR18EZHJ160.pdf | |
![]() | RCL121811R0JNEK | RES SMD 11 OHM 1W 1812 WIDE | RCL121811R0JNEK.pdf | |
![]() | PHP00805H75R9BBT1 | RES SMD 75.9 OHM 0.1% 5/8W 0805 | PHP00805H75R9BBT1.pdf | |
![]() | H897K6BCA | RES 97.6K OHM 1/4W 0.1% AXIAL | H897K6BCA.pdf | |
![]() | MGA-655T6-TR1G | RF Amplifier IC General Purpose 2.5GHz ~ 4GHz 6-UTSLP (2x1.3) | MGA-655T6-TR1G.pdf |