창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-1N5923BP/TR8 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 미준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | 1N5913BG-1N5956BG | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
제조업체 | Microsemi Corporation | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
전압 - 제너(공칭)(Vz) | 8.2V | |
허용 오차 | ±5% | |
전력 - 최대 | 1.5W | |
임피던스(최대)(Zzt) | 3.5옴 | |
전류 - 역누설 @ Vr | 5µA @ 6.5V | |
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.2V @ 200mA | |
작동 온도 | -65°C ~ 150°C | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | DO-204AL, DO-41, 축 | |
공급 장치 패키지 | DO-204AL(DO-41) | |
표준 포장 | 1,500 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | 1N5923BP/TR8 | |
관련 링크 | 1N5923, 1N5923BP/TR8 Datasheet, Microsemi Corporation Distributor |
TH3D226M035D0300 | 22µF Molded Tantalum Capacitors 35V 2917 (7343 Metric) 300 mOhm 0.287" L x 0.169" W (7.30mm x 4.30mm) | TH3D226M035D0300.pdf | ||
ABM10-20.000MHZ-D30-T3 | 20MHz ±20ppm 수정 10pF 100옴 -40°C ~ 85°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | ABM10-20.000MHZ-D30-T3.pdf | ||
402F4001XIDR | 40MHz ±10ppm 수정 18pF 60옴 -40°C ~ 85°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 402F4001XIDR.pdf | ||
SIT8009BC-83-33E-125.000000Y | OSC XO 3.3V 125MHZ OE | SIT8009BC-83-33E-125.000000Y.pdf | ||
510GCA-CBAG | 170MHz ~ 212.5MHz CMOS XO (Standard) Programmable Oscillator Surface Mount 2.5V 26mA Enable/Disable | 510GCA-CBAG.pdf | ||
VLZ16C-GS08 | DIODE ZENER 16.1V 500MW SOD80 | VLZ16C-GS08.pdf | ||
PE-64519NL | XFRMR CURR SENSE 80.0MH T/H | PE-64519NL.pdf | ||
ERJ-3EKF61R9V | RES SMD 61.9 OHM 1% 1/10W 0603 | ERJ-3EKF61R9V.pdf | ||
ERJ-6ENF6803V | RES SMD 680K OHM 1% 1/8W 0805 | ERJ-6ENF6803V.pdf | ||
RCP0505B1K00JS6 | RES SMD 1K OHM 5% 5W 0505 | RCP0505B1K00JS6.pdf | ||
Y0062100R000T0L | RES 100 OHM 0.6W 0.01% RADIAL | Y0062100R000T0L.pdf | ||
MCP9800A0T-M/OT | SENSOR TEMP I2C/SMBUS SOT23-5 | MCP9800A0T-M/OT.pdf |