창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-1N5926P/TR8 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 미준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | 1N5913BG-1N5956BG | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
제조업체 | Microsemi Corporation | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
전압 - 제너(공칭)(Vz) | 11V | |
허용 오차 | ±20% | |
전력 - 최대 | 1.5W | |
임피던스(최대)(Zzt) | 5.5옴 | |
전류 - 역누설 @ Vr | 1µA @ 8.4V | |
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.2V @ 200mA | |
작동 온도 | -65°C ~ 150°C | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | DO-204AL, DO-41, 축 | |
공급 장치 패키지 | DO-204AL(DO-41) | |
표준 포장 | 1,500 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | 1N5926P/TR8 | |
관련 링크 | 1N592, 1N5926P/TR8 Datasheet, Microsemi Corporation Distributor |
![]() | K222M10X7RH5TH5 | 2200pF 100V 세라믹 커패시터 X7R 방사 0.142" L x 0.091" W(3.60mm x 2.30mm) | K222M10X7RH5TH5.pdf | |
![]() | SR151A181JARTR2 | 180pF 100V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 방사 0.150" L x 0.100" W(3.81mm x 2.54mm) | SR151A181JARTR2.pdf | |
![]() | VJ0603D1R9CXBAJ | 1.9pF 100V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0603(1608 미터법) 0.063" L x 0.031" W(1.60mm x 0.80mm) | VJ0603D1R9CXBAJ.pdf | |
![]() | 0001.2709.11 | FUSE CERAMIC 3.15A 250VAC 300VDC | 0001.2709.11.pdf | |
![]() | SIT8924BA-12-33E-40.000000D | OSC XO 3.3V 40MHZ OE | SIT8924BA-12-33E-40.000000D.pdf | |
![]() | US1D-TP | DIODE GEN PURP 200V 1A DO214AC | US1D-TP.pdf | |
![]() | NS10145T102MNA | 1mH Shielded Wirewound Inductor 320mA 3.096 Ohm Max Nonstandard | NS10145T102MNA.pdf | |
![]() | ARS34Y12Z | RF Relay SPDT (1 Form C) Surface Mount | ARS34Y12Z.pdf | |
HS300 R22 F | RES CHAS MNT 0.22 OHM 1% 300W | HS300 R22 F.pdf | ||
![]() | RC2512FK-07464RL | RES SMD 464 OHM 1% 1W 2512 | RC2512FK-07464RL.pdf | |
![]() | RP73D2A665RBTG | RES SMD 665 OHM 0.1% 1/8W 0805 | RP73D2A665RBTG.pdf | |
![]() | CMF606K8000FEBF | RES 6.8K OHM 1W 1% AXIAL | CMF606K8000FEBF.pdf |