창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-1N5934CP/TR12 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 미준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | 1N5913BG-1N5956BG | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
제조업체 | Microsemi Corporation | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
전압 - 제너(공칭)(Vz) | 24V | |
허용 오차 | ±2% | |
전력 - 최대 | 1.5W | |
임피던스(최대)(Zzt) | 19옴 | |
전류 - 역누설 @ Vr | 1µA @ 18.2V | |
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.2V @ 200mA | |
작동 온도 | -65°C ~ 150°C | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | DO-204AL, DO-41, 축 | |
공급 장치 패키지 | DO-204AL(DO-41) | |
표준 포장 | 4,000 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | 1N5934CP/TR12 | |
관련 링크 | 1N5934, 1N5934CP/TR12 Datasheet, Microsemi Corporation Distributor |
861221485014 | 180µF 450V Aluminum Capacitors Radial, Can - Snap-In 3000 Hrs @ 85°C | 861221485014.pdf | ||
04025A680FAT2A | 68pF 50V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0402(1005 미터법) 0.039" L x 0.020" W(1.00mm x 0.50mm) | 04025A680FAT2A.pdf | ||
A222J20C0GH5UAA | 2200pF 100V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 축방향 0.118" Dia x 0.197" L(3.00mm x 5.00mm) | A222J20C0GH5UAA.pdf | ||
VJ2225Y562KBRAT4X | 5600pF 1500V(1.5kV) 세라믹 커패시터 X7R 2225(5763 미터법) 0.226" L x 0.250" W(5.74mm x 6.35mm) | VJ2225Y562KBRAT4X.pdf | ||
ECW-F6274HL | 0.27µF Film Capacitor 630V Polypropylene (PP), Metallized Radial 0.807" L x 0.409" W (20.50mm x 10.40mm) | ECW-F6274HL.pdf | ||
F339MX226831JCA2B0 | 6800pF Film Capacitor 310V 630V Polypropylene (PP), Metallized Radial 0.394" L x 0.157" W (10.00mm x 4.00mm) | F339MX226831JCA2B0.pdf | ||
ERB-RG1R25V | FUSE BOARD MNT 1.25A 63VDC 1206 | ERB-RG1R25V.pdf | ||
MWI100-12A8T | IGBT SIXPACK 160A 1200V E3PACK | MWI100-12A8T.pdf | ||
TSTA7100 | Infrared (IR) Emitter 875nm 1.4V 100mA 20mW/sr @ 100mA 10° TO-18-2 Metal Can | TSTA7100.pdf | ||
ISC1210EB33NM | 33nH Shielded Wirewound Inductor 585mA 180 mOhm Max 1210 (3225 Metric) | ISC1210EB33NM.pdf | ||
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CRCW201052R3FKEF | RES SMD 52.3 OHM 1% 3/4W 2010 | CRCW201052R3FKEF.pdf |