Microsemi Corporation 1N5949BPE3/TR8
- 제조업체 부품 번호
- 1N5949BPE3/TR8
- 제조업 자
- Microsemi Corporation
- 제품 카테고리
- 다이오드- 제너 - 단일
- 간단한 설명
- DIODE ZENER 100V 1.5W DO204AL
- Datesheet 다운로드
- 다운로드
1N5949BPE3/TR8 가격 및 조달
가능 수량
1150 조각
배송 오늘
창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
- 시장 가격
- ₩ 895.75200
- 우리의 가격
- Quote by Email
We are the stock Distributor of 1N5949BPE3/TR8, we specialize in all series Microsemi Corporation electronic components. 1N5949BPE3/TR8 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for 1N5949BPE3/TR8, Please kindly submit an RFQ here or send us an email.
- 1N5949BPE3/TR8 주문 프로세스
- 문의 양식에 추가
- 견적 요청
- 우리는 24 시간 이내에 회신
- 당신은 순서를 확인
- 지불
- 주문 발송
1N5949BPE3/TR8 매개 변수
| 내부 부품 번호 | EIS-1N5949BPE3/TR8 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
| 지위 | New & Unused, Original Sealed | |
| 규격서 | 1N5913BG-1N5956BG | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
| 제조업체 | Microsemi Corporation | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 전압 - 제너(공칭)(Vz) | 100V | |
| 허용 오차 | ±5% | |
| 전력 - 최대 | 1.5W | |
| 임피던스(최대)(Zzt) | 250옴 | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 1µA @ 76V | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.2V @ 200mA | |
| 작동 온도 | -65°C ~ 150°C | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | DO-204AL, DO-41, 축 | |
| 공급 장치 패키지 | DO-204AL(DO-41) | |
| 표준 포장 | 1,500 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | Email for details | |
| 대체 부품 (교체) | 1N5949BPE3/TR8 | |
| 관련 링크 | 1N5949B, 1N5949BPE3/TR8 Datasheet, Microsemi Corporation Distributor | |
1N5949BPE3/TR8 의 관련 제품
 | CGS152T350W4C | 1500µF 350V Aluminum Capacitors Radial, Can - Screw Terminals 123 mOhm @ 120Hz 2000 Hrs @ 85°C | CGS152T350W4C.pdf | |
.jpg) | 201S42E621GV4E | 620pF 200V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 1111(2828 미터법) 0.110" L x 0.110" W(2.79mm x 2.79mm) | 201S42E621GV4E.pdf | |
 | MKT1822422065W | 0.22µF Film Capacitor 40V 63V Polyester, Metallized Radial 0.512" L x 0.157" W (13.00mm x 4.00mm) | MKT1822422065W.pdf | |
 | ICTE18HE3/54 | TVS DIODE 18VWM 25.2VC 1.5KE | ICTE18HE3/54.pdf | |
 | ECS-36-20-5PDN-TR | 3.6864MHz ±30ppm 수정 20pF 150옴 -40°C ~ 85°C 표면실장(SMD, SMT) HC49/US | ECS-36-20-5PDN-TR.pdf | |
| BAV99-G3-08 | DIODE ARRAY GP 70V 150MA SOT23 | BAV99-G3-08.pdf | |
 | 12TQ035 | DIODE SCHOTTKY 35V 15A TO220AC | 12TQ035.pdf | |
 | VB30120S-M3/8W | DIODE SCHOTTKY 30A 120V TO-263AB | VB30120S-M3/8W.pdf | |
 | APT11N80BC3G | MOSFET N-CH 800V 11A TO-247 | APT11N80BC3G.pdf | |
.jpg) | RT0805CRD07430KL | RES SMD 430K OHM 0.25% 1/8W 0805 | RT0805CRD07430KL.pdf | |
| Y00142K00000B0L | RES 2K OHM 1/5W 0.1% AXIAL | Y00142K00000B0L.pdf | |
 | NSCSNNN004BGUNV | Pressure Sensor 58.02 PSI (400 kPa) Vented Gauge 0 mV ~ 100 mV (5V) 4-SIP Module | NSCSNNN004BGUNV.pdf |
