Microsemi Corporation 1N5950PE3/TR12
- 제조업체 부품 번호
- 1N5950PE3/TR12
- 제조업 자
- Microsemi Corporation
- 제품 카테고리
- 다이오드- 제너 - 단일
- 간단한 설명
- DIODE ZENER 110V 1.5W DO204AL
- Datesheet 다운로드
- 다운로드
1N5950PE3/TR12 가격 및 조달
가능 수량
1150 조각
배송 오늘
창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
- 시장 가격
- ₩ 847.56675
- 우리의 가격
- Quote by Email
We are the stock Distributor of 1N5950PE3/TR12, we specialize in all series Microsemi Corporation electronic components. 1N5950PE3/TR12 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for 1N5950PE3/TR12, Please kindly submit an RFQ here or send us an email.
- 1N5950PE3/TR12 주문 프로세스
- 문의 양식에 추가
- 견적 요청
- 우리는 24 시간 이내에 회신
- 당신은 순서를 확인
- 지불
- 주문 발송
1N5950PE3/TR12 매개 변수
| 내부 부품 번호 | EIS-1N5950PE3/TR12 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
| 지위 | New & Unused, Original Sealed | |
| 규격서 | 1N5913BG-1N5956BG | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
| 제조업체 | Microsemi Corporation | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 전압 - 제너(공칭)(Vz) | 110V | |
| 허용 오차 | ±20% | |
| 전력 - 최대 | 1.5W | |
| 임피던스(최대)(Zzt) | 300옴 | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 1µA @ 83.6V | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.2V @ 200mA | |
| 작동 온도 | -65°C ~ 150°C | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | DO-204AL, DO-41, 축 | |
| 공급 장치 패키지 | DO-204AL(DO-41) | |
| 표준 포장 | 4,000 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | Email for details | |
| 대체 부품 (교체) | 1N5950PE3/TR12 | |
| 관련 링크 | 1N5950P, 1N5950PE3/TR12 Datasheet, Microsemi Corporation Distributor | |
1N5950PE3/TR12 의 관련 제품
 | EEE-HB1H3R3AR | 3.3µF 50V Aluminum Capacitors Radial, Can - SMD 2000 Hrs @ 105°C | EEE-HB1H3R3AR.pdf | |
 | UPJ2A271MHD6TN | 270µF 100V Aluminum Capacitors Radial, Can 5000 Hrs @ 105°C | UPJ2A271MHD6TN.pdf | |
 | BFC237269273 | 0.027µF Film Capacitor 250V 630V Polyester, Metallized Radial 0.492" L x 0.197" W (12.50mm x 5.00mm) | BFC237269273.pdf | |
| SIT8008AI-32-18E-98.304000T | OSC XO 1.8V 98.304MHZ OE | SIT8008AI-32-18E-98.304000T.pdf | |
 | ASTMHTFL-20.000MHZ-XR-E | 20MHz LVCMOS MEMS (Silicon) Oscillator Surface Mount 2.25 V ~ 3.63 V Enable/Disable | ASTMHTFL-20.000MHZ-XR-E.pdf | |
 | FDB86366_F085 | MOSFET N-CH 80V 110A TO263 | FDB86366_F085.pdf | |
| PE-1008CM150JTT | 15nH Unshielded Wirewound Inductor 1A 90 mOhm Max 1008 (2520 Metric) | PE-1008CM150JTT.pdf | |
| P160R-184KS | 180µH Unshielded Inductor 128mA 7.5 Ohm Max Nonstandard | P160R-184KS.pdf | |
.jpg) | RT0805BRD0797K6L | RES SMD 97.6K OHM 0.1% 1/8W 0805 | RT0805BRD0797K6L.pdf | |
| Y0015204R080T19L | RES 204.08 OHM 1/4W 0.01% AXIAL | Y0015204R080T19L.pdf | |
| ATT-0292-01-SMA-02 | RF Attenuator 1dB 0Hz ~ 8GHz 2W SMA In-Line Module | ATT-0292-01-SMA-02.pdf | |
 | SE2568U-R | RF Amplifier IC 802.11b/g/n 2.4GHz ~ 2.5GHz 8-QFN (2x2) | SE2568U-R.pdf |
