창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-1N5952AE3/TR13 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | 1N5913BG-1N5956BG | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
제조업체 | Microsemi Corporation | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
전압 - 제너(공칭)(Vz) | 130V | |
허용 오차 | ±10% | |
전력 - 최대 | 1.5W | |
임피던스(최대)(Zzt) | 450옴 | |
전류 - 역누설 @ Vr | 1µA @ 98.8V | |
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.2V @ 200mA | |
작동 온도 | -65°C ~ 150°C | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | DO-204AL, DO-41, 축 | |
공급 장치 패키지 | DO-204AL(DO-41) | |
표준 포장 | 5,000 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | 1N5952AE3/TR13 | |
관련 링크 | 1N5952A, 1N5952AE3/TR13 Datasheet, Microsemi Corporation Distributor |
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![]() | SIT9121AI-2B2-25E62.500000T | OSC XO 2.5V 62.5MHZ | SIT9121AI-2B2-25E62.500000T.pdf | |
![]() | APTGF75DH120TG | IGBT MODULE NPT ASYM BRIDGE SP4 | APTGF75DH120TG.pdf | |
![]() | MLG0402P1N8BT000 | 1.8nH Unshielded Multilayer Inductor 200mA 600 mOhm Max 01005 (0402 Metric) | MLG0402P1N8BT000.pdf | |
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![]() | Y07861R98000F9L | RES 1.98 OHM 0.6W 1% RADIAL | Y07861R98000F9L.pdf |