창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-1N5954A G | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 미준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | 1N5913BG-1N5956BG | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
제조업체 | Microsemi Corporation | |
계열 | - | |
포장 | 벌크 | |
부품 현황 | 유효 | |
전압 - 제너(공칭)(Vz) | 160V | |
허용 오차 | ±10% | |
전력 - 최대 | 1.25W | |
임피던스(최대)(Zzt) | 700옴 | |
전류 - 역누설 @ Vr | 1µA @ 121.6V | |
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.2V @ 200mA | |
작동 온도 | -65°C ~ 175°C | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | DO-204AL, DO-41, 축 | |
공급 장치 패키지 | DO-204AL(DO-41) | |
표준 포장 | 1 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | 1N5954A G | |
관련 링크 | 1N59, 1N5954A G Datasheet, Microsemi Corporation Distributor |
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VJ0402D1R2CLBAP | 1.2pF 100V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0402(1005 미터법) 0.040" L x 0.020" W(1.02mm x 0.51mm) | VJ0402D1R2CLBAP.pdf | ||
NOJD157M004RWJ | 150µF Niobium Oxide Capacitor 4V 2917 (7343 Metric) 300 mOhm ESR | NOJD157M004RWJ.pdf | ||
416F25025AAR | 25MHz ±20ppm 수정 10pF 200옴 -10°C ~ 60°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 416F25025AAR.pdf | ||
RS3D-13-F | DIODE GEN PURP 200V 3A SMC | RS3D-13-F.pdf | ||
1812R-562F | 5.6µH Unshielded Inductor 427mA 1.1 Ohm Max 2-SMD | 1812R-562F.pdf | ||
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ERJ-S03F7682V | RES SMD 76.8K OHM 1% 1/10W 0603 | ERJ-S03F7682V.pdf | ||
RT0603BRD07475RL | RES SMD 475 OHM 0.1% 1/10W 0603 | RT0603BRD07475RL.pdf | ||
MRS25000C7329FRP00 | RES 73.2 OHM 0.6W 1% AXIAL | MRS25000C7329FRP00.pdf | ||
MS-DP1-1 | FOR DP-100 SENSOR MOUNT BRACKET | MS-DP1-1.pdf | ||
MSF4800B-30-1320 | SAFETY LIGHT CURTAIN | MSF4800B-30-1320.pdf |