창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-1N5999A | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 미준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | 1N5985-1N6031-1 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
제조업체 | Microsemi Corporation | |
계열 | - | |
포장 | 벌크 | |
부품 현황 | 유효 | |
전압 - 제너(공칭)(Vz) | 9.1V | |
허용 오차 | ±10% | |
전력 - 최대 | 500mW | |
임피던스(최대)(Zzt) | 18옴 | |
전류 - 역누설 @ Vr | 500nA @ 6V | |
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.1V @ 200mA | |
작동 온도 | -65°C ~ 175°C | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | DO-204AH, DO-35, 축 | |
공급 장치 패키지 | DO-35 | |
표준 포장 | 1 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | 1N5999A | |
관련 링크 | 1N5, 1N5999A Datasheet, Microsemi Corporation Distributor |
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![]() | TA6F51AHM3/6A | TVS DIODE 43.6VWM DO221AC | TA6F51AHM3/6A.pdf | |
![]() | LP080F35CDT | 80MHz ±30ppm 수정 18pF 60옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) HC49/US | LP080F35CDT.pdf | |
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![]() | ERJ-3EKF3831V | RES SMD 3.83K OHM 1% 1/10W 0603 | ERJ-3EKF3831V.pdf | |
![]() | RC1206JR-073KL | RES SMD 3K OHM 5% 1/4W 1206 | RC1206JR-073KL.pdf | |
![]() | 3522360RFT | RES SMD 360 OHM 1% 3W 2512 | 3522360RFT.pdf | |
![]() | AA1218FK-07909KL | RES SMD 909K OHM 1W 1812 WIDE | AA1218FK-07909KL.pdf | |
![]() | RG3216N-7683-W-T1 | RES SMD 768K OHM 0.05% 1/4W 1206 | RG3216N-7683-W-T1.pdf | |
![]() | EXB-V8V620JV | RES ARRAY 4 RES 62 OHM 1206 | EXB-V8V620JV.pdf | |
![]() | ERX-1SJ1R6 | RES 1.6 OHM 1W 5% AXIAL | ERX-1SJ1R6.pdf | |
![]() | RNF14CAC1K21 | RES 1.21K OHM 1/4W .25% AXIAL | RNF14CAC1K21.pdf |