창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-1N5999B | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 미준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | 1N5985-1N6031-1 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
제조업체 | Microsemi Corporation | |
계열 | - | |
포장 | 벌크 | |
부품 현황 | 유효 | |
전압 - 제너(공칭)(Vz) | 9.1V | |
허용 오차 | ±5% | |
전력 - 최대 | 500mW | |
임피던스(최대)(Zzt) | 10옴 | |
전류 - 역누설 @ Vr | 100nA @ 7V | |
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.1V @ 200mA | |
작동 온도 | -65°C ~ 175°C | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | DO-204AH, DO-35, 축 | |
공급 장치 패키지 | DO-35 | |
표준 포장 | 1 | |
다른 이름 | 1N5999BMS | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | 1N5999B | |
관련 링크 | 1N5, 1N5999B Datasheet, Microsemi Corporation Distributor |
02013A300JAT2A | 30pF 25V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0201(0603 미터법) 0.024" L x 0.012" W(0.60mm x 0.30mm) | 02013A300JAT2A.pdf | ||
VJ0603D271KXXAJ | 270pF 25V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0603(1608 미터법) 0.063" L x 0.031" W(1.60mm x 0.80mm) | VJ0603D271KXXAJ.pdf | ||
VJ0805D821JLXAJ | 820pF 25V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0805(2012 미터법) 0.079" L x 0.049" W(2.00mm x 1.25mm) | VJ0805D821JLXAJ.pdf | ||
HCZ682MBCDJ0KR | 6800pF 3000V(3kV) 세라믹 커패시터 방사형, 디스크 0.984" Dia(25.00mm) | HCZ682MBCDJ0KR.pdf | ||
3KP10 | TVS DIODE 10VWM 17.85VC AXIAL | 3KP10.pdf | ||
TS184F23CET | 18.432MHz ±20ppm 수정 20pF 40옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) HC49/US | TS184F23CET.pdf | ||
T73XX203KT20 | 20k Ohm 0.5W, 1/2W PC Pins Through Hole Trimmer Potentiometer Cermet 1 Turn Side Adjustment | T73XX203KT20.pdf | ||
VLCF5020T-2R2N2R6-3 | 2.2µH Shielded Wirewound Inductor 2.62A 43 mOhm Max Nonstandard | VLCF5020T-2R2N2R6-3.pdf | ||
SD6030-180-R | 17.1µH Shielded Wirewound Inductor 1.65A 110 mOhm Max Nonstandard | SD6030-180-R.pdf | ||
RE1206DRE07348RL | RES SMD 348 OHM 0.5% 1/4W 1206 | RE1206DRE07348RL.pdf | ||
PE0603DRF7T0R033L | RES SMD 0.033 OHM 0.5% 1/3W 0603 | PE0603DRF7T0R033L.pdf | ||
RSF1FTR332 | RES MO 1W 0.332 OHM 1% AXIAL | RSF1FTR332.pdf |