창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-1N6019B | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 미준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | 1N5985-1N6031-1 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
제조업체 | Microsemi Corporation | |
계열 | - | |
포장 | 벌크 | |
부품 현황 | 유효 | |
전압 - 제너(공칭)(Vz) | 62V | |
허용 오차 | ±5% | |
전력 - 최대 | 500mW | |
임피던스(최대)(Zzt) | 225옴 | |
전류 - 역누설 @ Vr | 100nA @ 47V | |
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.1V @ 200mA | |
작동 온도 | -65°C ~ 175°C | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | DO-204AH, DO-35, 축 | |
공급 장치 패키지 | DO-35 | |
표준 포장 | 1 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | 1N6019B | |
관련 링크 | 1N6, 1N6019B Datasheet, Microsemi Corporation Distributor |
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![]() | 416F240X3IKR | 24MHz ±15ppm 수정 8pF 200옴 -40°C ~ 85°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 416F240X3IKR.pdf | |
![]() | MLG0603S9N1HT000 | 9.1nH Unshielded Multilayer Inductor 200mA 800 mOhm Max 0201 (0603 Metric) | MLG0603S9N1HT000.pdf | |
![]() | ALZ52F05 | ALZ RELAY 1 FORM A 5V | ALZ52F05.pdf | |
![]() | RG3216V-6801-D-T5 | RES SMD 6.8K OHM 0.5% 1/4W 1206 | RG3216V-6801-D-T5.pdf | |
![]() | CMF552K5300FEBF | RES 2.53K OHM 1/2W 1% AXIAL | CMF552K5300FEBF.pdf | |
![]() | Y57871K00000B0L | RES 1K OHM 0.6W 0.1% RADIAL | Y57871K00000B0L.pdf | |
![]() | PPT2-0010DRW5VS | Pressure Sensor ±10 PSI (±68.95 kPa) Differential Male - 0.13" (3.18mm) Tube, Dual 0 V ~ 5 V Module Cube | PPT2-0010DRW5VS.pdf | |
INN2214K | Converter Offline Flyback, Secondary Side SR Topology 100kHz eSOP-R16B | INN2214K.pdf |