Microsemi Corporation 1N6022C
- 제조업체 부품 번호
- 1N6022C
- 제조업 자
- Microsemi Corporation
- 제품 카테고리
- 다이오드- 제너 - 단일
- 간단한 설명
- DIODE ZENER 82V 500MW DO35
- Datesheet 다운로드
- 다운로드
1N6022C 가격 및 조달
가능 수량
1150 조각
배송 오늘
창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
- 시장 가격
- ₩ 4,512.12000
- 우리의 가격
- Quote by Email
We are the stock Distributor of 1N6022C, we specialize in all series Microsemi Corporation electronic components. 1N6022C can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for 1N6022C, Please kindly submit an RFQ here or send us an email.
- 1N6022C 주문 프로세스
- 문의 양식에 추가
- 견적 요청
- 우리는 24 시간 이내에 회신
- 당신은 순서를 확인
- 지불
- 주문 발송
1N6022C 매개 변수
| 내부 부품 번호 | EIS-1N6022C | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 미준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
| 지위 | New & Unused, Original Sealed | |
| 규격서 | 1N5985-1N6031-1 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
| 제조업체 | Microsemi Corporation | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 벌크 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 전압 - 제너(공칭)(Vz) | 82V | |
| 허용 오차 | ±2% | |
| 전력 - 최대 | 500mW | |
| 임피던스(최대)(Zzt) | 280옴 | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 100nA @ 62V | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.1V @ 200mA | |
| 작동 온도 | -65°C ~ 175°C | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | DO-204AH, DO-35, 축 | |
| 공급 장치 패키지 | DO-35 | |
| 표준 포장 | 1 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | Email for details | |
| 대체 부품 (교체) | 1N6022C | |
| 관련 링크 | 1N6, 1N6022C Datasheet, Microsemi Corporation Distributor | |
1N6022C 의 관련 제품
.jpg) | CGA3E3X8R1C474M080AB | 0.47µF 16V 세라믹 커패시터 X8R 0603(1608 미터법) 0.063" L x 0.031" W(1.60mm x 0.80mm) | CGA3E3X8R1C474M080AB.pdf | |
 | SQCFVA3R9BAT1A | 3.9pF 250V 세라믹 커패시터 A 0805(2012 미터법) 0.079" L x 0.049" W(2.01mm x 1.24mm) | SQCFVA3R9BAT1A.pdf | |
 | C1210C331JDGACTU | 330pF 1000V(1kV) 세라믹 커패시터 C0G, NP0 1210(3225 미터법) 0.126" L x 0.098" W(3.20mm x 2.50mm) | C1210C331JDGACTU.pdf | |
 | MKP1845368406 | 0.068µF Film Capacitor 220V 400V Polypropylene (PP), Metallized Axial 0.354" Dia x 0.945" L (9.00mm x 24.00mm) | MKP1845368406.pdf | |
 | 416F440X2CDR | 44MHz ±15ppm 수정 18pF 100옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 416F440X2CDR.pdf | |
-5.00-mm-x-3.20-mm.jpg) | DSC1124BI5-148.3516T | 148.3516MHz HCSL MEMS (Silicon) Oscillator Surface Mount 2.25 V ~ 3.6 V 42mA Enable/Disable | DSC1124BI5-148.3516T.pdf | |
 | NLV25T-R82J-EF | 820nH Unshielded Wirewound Inductor 260mA 1 Ohm Max 1008 (2520 Metric) | NLV25T-R82J-EF.pdf | |
| AA0603FR-07976KL | RES SMD 976K OHM 1% 1/10W 0603 | AA0603FR-07976KL.pdf | |
 | RNMF14FTD34K8 | RES 34.8K OHM 1/4W 1% AXIAL | RNMF14FTD34K8.pdf | |
| MBB02070D2702DC100 | RES 27K OHM 0.6W 0.5% AXIAL | MBB02070D2702DC100.pdf | |
 | CMF55301R00BERE | RES 301 OHM 1/2W .1% AXIAL | CMF55301R00BERE.pdf | |
| E2B-M18KN10-WP-C1 5M | Inductive Proximity Sensor 0.394" (10mm) IP67 Cylinder, Threaded - M18 | E2B-M18KN10-WP-C1 5M.pdf |
