창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-1N6030A | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 미준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | 1N5985-1N6031-1 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
제조업체 | Microsemi Corporation | |
계열 | - | |
포장 | 벌크 | |
부품 현황 | 유효 | |
전압 - 제너(공칭)(Vz) | 180V | |
허용 오차 | ±10% | |
전력 - 최대 | 500mW | |
임피던스(최대)(Zzt) | 2350옴 | |
전류 - 역누설 @ Vr | 100nA @ 114V | |
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.1V @ 200mA | |
작동 온도 | -65°C ~ 175°C | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | DO-204AH, DO-35, 축 | |
공급 장치 패키지 | DO-35 | |
표준 포장 | 1 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | 1N6030A | |
관련 링크 | 1N6, 1N6030A Datasheet, Microsemi Corporation Distributor |
![]() | C0805C681F5GALTU | 680pF 50V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0805(2012 미터법) 0.079" L x 0.049" W(2.00mm x 1.25mm) | C0805C681F5GALTU.pdf | |
![]() | VJ0805D4R7BLCAP | 4.7pF 200V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0805(2012 미터법) 0.079" L x 0.049" W(2.00mm x 1.25mm) | VJ0805D4R7BLCAP.pdf | |
![]() | SQCB2M221JAJWE | 220pF 200V 세라믹 커패시터 M 1111(2828 미터법) 0.110" L x 0.110" W(2.79mm x 2.79mm) | SQCB2M221JAJWE.pdf | |
![]() | GRM0335C1E4R4CD01D | 4.4pF 25V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0201(0603 미터법) 0.024" L x 0.012" W(0.60mm x 0.30mm) | GRM0335C1E4R4CD01D.pdf | |
AM-12.000MAGE-T | 12MHz ±30ppm 수정 12pF 100옴 -40°C ~ 125°C AEC-Q200 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD | AM-12.000MAGE-T.pdf | ||
![]() | V30D202C-M3/I | DIODE ARRAY SCHOTTKY 200V SMPD | V30D202C-M3/I.pdf | |
![]() | SBR3150SB-13 | DIODE SCHOTTKY 150V 3A SMB | SBR3150SB-13.pdf | |
![]() | 1N4743APE3/TR8 | DIODE ZENER 13V 1W DO204AL | 1N4743APE3/TR8.pdf | |
![]() | CRCW25121R00FNTG | RES SMD 1 OHM 1% 1W 2512 | CRCW25121R00FNTG.pdf | |
![]() | CRCW1206332RFHEAP | RES SMD 332 OHM 1% 1/4W 1206 | CRCW1206332RFHEAP.pdf | |
![]() | Y145311K0000B9L | RES 11K OHM 0.6W 0.1% RADIAL | Y145311K0000B9L.pdf | |
![]() | AD7417BRZ | SENSOR TEMPERATURE I2C 16SOIC | AD7417BRZ.pdf |