Microsemi Corporation 1N6104US
- 제조업체 부품 번호
- 1N6104US
- 제조업 자
- Microsemi Corporation
- 제품 카테고리
- TVS - 다이오드
- 간단한 설명
- TVS DIODE 6.2VWM 12.71VC SQMELF
- Datesheet 다운로드
- 다운로드
1N6104US 가격 및 조달
가능 수량
1150 조각
배송 오늘
창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
- 시장 가격
- ₩ 16,656.05000
- 우리의 가격
- Quote by Email
We are the stock Distributor of 1N6104US, we specialize in all series Microsemi Corporation electronic components. 1N6104US can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for 1N6104US, Please kindly submit an RFQ here or send us an email.
- 1N6104US 주문 프로세스
- 문의 양식에 추가
- 견적 요청
- 우리는 24 시간 이내에 회신
- 당신은 순서를 확인
- 지불
- 주문 발송
1N6104US 매개 변수
| 내부 부품 번호 | EIS-1N6104US | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 미준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
| 지위 | New & Unused, Original Sealed | |
| 규격서 | 1N6103-37AUS | |
| 종류 | 회로 보호 | |
| 제품군 | TVS - 다이오드 | |
| 제조업체 | Microsemi Corporation | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 벌크 | |
| 유형 | 제너 | |
| 단방향 채널 | - | |
| 양방향 채널 | 1 | |
| 전압 - 역스탠드오프(통상) | 6.2V | |
| 전압 - 항복(최소) | 7.4V | |
| 전압 - 클램핑(최대) @ Ipp | 12.71V | |
| 전류 - 피크 펄스(10/1000µs) | 39.24A | |
| 전력 - 피크 펄스 | 500W | |
| 전력선 보호 | 없음 | |
| 응용 제품 | 범용 | |
| 정전 용량 @ 주파수 | - | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | SQ-MELF, B | |
| 공급 장치 패키지 | B, SQ-MELF | |
| 표준 포장 | 1 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | Email for details | |
| 대체 부품 (교체) | 1N6104US | |
| 관련 링크 | 1N61, 1N6104US Datasheet, Microsemi Corporation Distributor | |
1N6104US 의 관련 제품
 | RHT0J821MDN1PH | 820µF 6.3V Aluminum - Polymer Capacitors Radial, Can 12 mOhm 1000 Hrs @ 125°C | RHT0J821MDN1PH.pdf | |
 | GRM0335C1E1R4BA01D | 1.4pF 25V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0201(0603 미터법) 0.024" L x 0.012" W(0.60mm x 0.30mm) | GRM0335C1E1R4BA01D.pdf | |
 | AQ147M300GAJWE | 30pF 500V 세라믹 커패시터 M 1111(2828 미터법) 0.110" L x 0.110" W(2.79mm x 2.79mm) | AQ147M300GAJWE.pdf | |
 | V230LC4PX2855 | VARISTOR 360V 1.2KA DISC 7MM | V230LC4PX2855.pdf | |
 | ABM10AIG-24.000MHZ-4Z-T3 | 24MHz ±30ppm 수정 10pF 60옴 -40°C ~ 125°C AEC-Q200 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | ABM10AIG-24.000MHZ-4Z-T3.pdf | |
 | ATS10ASM-1E | 10MHz ±30ppm 수정 20pF 60옴 -40°C ~ 85°C 표면실장(SMD, SMT) HC49/US | ATS10ASM-1E.pdf | |
 | SIT9002AC-33N18DX | 1MHz ~ 220MHz CML MEMS (Silicon) Programmable Oscillator Surface Mount 1.8V 51mA | SIT9002AC-33N18DX.pdf | |
 | MJB41CT4G | TRANS NPN 100V 6A D2PAK-3 | MJB41CT4G.pdf | |
 | SP8M4FU6TB | MOSFET N/P-CH 30V 9A/7A 8SOIC | SP8M4FU6TB.pdf | |
 | 5022R-244H | 240µH Unshielded Inductor 210mA 7.8 Ohm Max 2-SMD | 5022R-244H.pdf | |
 | RNCF1206BTE9K76 | RES SMD 9.76K OHM 0.1% 1/4W 1206 | RNCF1206BTE9K76.pdf | |
 | ERJ-S12F3603U | RES SMD 360K OHM 1% 3/4W 1812 | ERJ-S12F3603U.pdf |
