Microsemi Corporation 1N6116US
- 제조업체 부품 번호
- 1N6116US
- 제조업 자
- Microsemi Corporation
- 제품 카테고리
- TVS - 다이오드
- 간단한 설명
- TVS DIODE 20.6VWM SQMELF
- Datesheet 다운로드
- 다운로드
1N6116US 가격 및 조달
가능 수량
1150 조각
배송 오늘
창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
- 시장 가격
- ₩ 15,048.63400
- 우리의 가격
- Quote by Email
We are the stock Distributor of 1N6116US, we specialize in all series Microsemi Corporation electronic components. 1N6116US can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for 1N6116US, Please kindly submit an RFQ here or send us an email.
- 1N6116US 주문 프로세스
- 문의 양식에 추가
- 견적 요청
- 우리는 24 시간 이내에 회신
- 당신은 순서를 확인
- 지불
- 주문 발송
1N6116US 매개 변수
| 내부 부품 번호 | EIS-1N6116US | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 미준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
| 지위 | New & Unused, Original Sealed | |
| 규격서 | 1N6103-37AUS | |
| 종류 | 회로 보호 | |
| 제품군 | TVS - 다이오드 | |
| 제조업체 | Microsemi Corporation | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 벌크 | |
| 유형 | 제너 | |
| 단방향 채널 | - | |
| 양방향 채널 | 1 | |
| 전압 - 역스탠드오프(통상) | 20.6V | |
| 전압 - 항복(최소) | 24.42V | |
| 전압 - 클램핑(최대) @ Ipp | 39.27V | |
| 전류 - 피크 펄스(10/1000µs) | 12.73A | |
| 전력 - 피크 펄스 | 500W | |
| 전력선 보호 | 없음 | |
| 응용 제품 | 범용 | |
| 정전 용량 @ 주파수 | - | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | SQ-MELF, B | |
| 공급 장치 패키지 | B, SQ-MELF | |
| 표준 포장 | 1 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | Email for details | |
| 대체 부품 (교체) | 1N6116US | |
| 관련 링크 | 1N61, 1N6116US Datasheet, Microsemi Corporation Distributor | |
1N6116US 의 관련 제품
-10.jpg) | CL10C330JB8NNNC | 33pF 50V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0603(1608 미터법) 0.063" L x 0.031" W(1.60mm x 0.80mm) | CL10C330JB8NNNC.pdf | |
 | K123M10X7RF53H5 | 0.012µF 50V 세라믹 커패시터 X7R 방사 0.142" L x 0.091" W(3.60mm x 2.30mm) | K123M10X7RF53H5.pdf | |
 | AQ12EM0R2BAJME\250V | 0.20pF 150V 세라믹 커패시터 M 0606(1616 미터법) 0.055" L x 0.055" W(1.40mm x 1.40mm) | AQ12EM0R2BAJME\250V.pdf | |
 | ABM8G-40.000MHZ-4Y-T3 | 40MHz ±30ppm 수정 10pF 50옴 -10°C ~ 60°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | ABM8G-40.000MHZ-4Y-T3.pdf | |
 | 4P040F35CET | 4MHz ±30ppm 수정 20pF 120옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) HC49/US | 4P040F35CET.pdf | |
 | VS-36MT5 | MOD BRIDGE SGL 35A 600V D-63 | VS-36MT5.pdf | |
| VS-52PFR120 | DIODE STD RECOVERY 1200V 50A DO5 | VS-52PFR120.pdf | |
| MX6AWT-A1-R250-000AB7 | LED Lighting XLamp® MX-6 White 3.3V 300mA 120° 2-SMD, Gull Wing, Exposed Pad | MX6AWT-A1-R250-000AB7.pdf | |
 | IMC1210SY121J | 120µH Unshielded Wirewound Inductor 70mA 11 Ohm Max 1210 (3225 Metric) | IMC1210SY121J.pdf | |
.jpg) | AT0402CRD079K09L | RES SMD 9.09K OHM 1/16W 0402 | AT0402CRD079K09L.pdf | |
.jpg) | TNPW25122K87BEEG | RES SMD 2.87K OHM 0.1% 1/2W 2512 | TNPW25122K87BEEG.pdf | |
 | CPCC052R200JB31 | RES 2.2 OHM 5W 5% RADIAL | CPCC052R200JB31.pdf |
