창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-1N6325US | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 미준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | 1N6309US thru 1N6355DUS | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
제조업체 | Microsemi Corporation | |
계열 | - | |
포장 | 벌크 | |
부품 현황 | 유효 | |
전압 - 제너(공칭)(Vz) | 11V | |
허용 오차 | ±5% | |
전력 - 최대 | 500mW | |
임피던스(최대)(Zzt) | 7옴 | |
전류 - 역누설 @ Vr | 1µA @ 8.5V | |
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.4V @ 1A | |
작동 온도 | -65°C ~ 175°C | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | SQ-MELF, B | |
공급 장치 패키지 | B, SQ-MELF | |
표준 포장 | 1 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | 1N6325US | |
관련 링크 | 1N63, 1N6325US Datasheet, Microsemi Corporation Distributor |
C322C473K1R5TA7301 | 0.047µF 100V 세라믹 커패시터 X7R 방사 0.200" L x 0.125" W(5.08mm x 3.18mm) | C322C473K1R5TA7301.pdf | ||
CGA3E1X7R1E684M080AD | 0.68µF 25V 세라믹 커패시터 X7R 0603(1608 미터법) 0.063" L x 0.031" W(1.60mm x 0.80mm) | CGA3E1X7R1E684M080AD.pdf | ||
06035A680M4T2A | 68pF 50V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0603(1608 미터법) 0.063" L x 0.032" W(1.60mm x 0.81mm) | 06035A680M4T2A.pdf | ||
168272J100A-F | 2700pF Film Capacitor 63V 100V Polyester, Metallized Radial 0.283" L x 0.098" W (7.20mm x 2.50mm) | 168272J100A-F.pdf | ||
MKP383418040JC02Z0 | 0.18µF Film Capacitor 200V 400V Polypropylene (PP), Metallized Radial 0.689" L x 0.394" W (17.50mm x 10.00mm) | MKP383418040JC02Z0.pdf | ||
CG5230L | GDT 230V 5KA THROUGH HOLE | CG5230L.pdf | ||
OP298AA | Infrared (IR) Emitter 875nm 2V 200mA 3.5mW/cm² @ 100mA 25° Radial | OP298AA.pdf | ||
2100LL-1R5-V-RC | 1.5µH Shielded Toroidal Inductor 18.5A 3 mOhm Max Radial | 2100LL-1R5-V-RC.pdf | ||
RPC1206JT180K | RES SMD 180K OHM 5% 1/3W 1206 | RPC1206JT180K.pdf | ||
RG2012P-1912-D-T5 | RES SMD 19.1K OHM 0.5% 1/8W 0805 | RG2012P-1912-D-T5.pdf | ||
RG2012N-271-B-T5 | RES SMD 270 OHM 0.1% 1/8W 0805 | RG2012N-271-B-T5.pdf | ||
MAX2640AUT/V+T | RF Amplifier IC Cellular, GPS, PCS 300MHz ~ 2.5GHz SOT-23-6 | MAX2640AUT/V+T.pdf |