Microsemi Corporation 1N6630US
- 제조업체 부품 번호
- 1N6630US
- 제조업 자
- Microsemi Corporation
- 제품 카테고리
- 다이오드, 정류기 - 단일
- 간단한 설명
- DIODE GEN PURP 900V 1.4A D5B
- Datesheet 다운로드
- 다운로드
1N6630US 가격 및 조달
가능 수량
1150 조각
배송 오늘
창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
- 시장 가격
- ₩ 17,198.43800
- 우리의 가격
- Quote by Email
We are the stock Distributor of 1N6630US, we specialize in all series Microsemi Corporation electronic components. 1N6630US can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for 1N6630US, Please kindly submit an RFQ here or send us an email.
- 1N6630US 주문 프로세스
- 문의 양식에 추가
- 견적 요청
- 우리는 24 시간 이내에 회신
- 당신은 순서를 확인
- 지불
- 주문 발송
1N6630US 매개 변수
| 내부 부품 번호 | EIS-1N6630US | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 미준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
| 지위 | New & Unused, Original Sealed | |
| 규격서 | 1N6626US-1N6631US | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드, 정류기 - 단일 | |
| 제조업체 | Microsemi Corporation | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 벌크 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 다이오드 유형 | 표준 | |
| 전압 - DC 역방향(Vr)(최대) | 900V | |
| 전류 -평균 정류(Io) | 1.4A | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.7V @ 3A | |
| 속도 | 고속 회복 =< 500 ns, > 200mA(Io) | |
| 역회복 시간(trr) | 50ns | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 4µA @ 100V | |
| 정전 용량 @ Vr, F | - | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | E-MELF | |
| 공급 장치 패키지 | D-5B | |
| 작동 온도 - 접합 | -65°C ~ 150°C | |
| 표준 포장 | 1 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | Email for details | |
| 대체 부품 (교체) | 1N6630US | |
| 관련 링크 | 1N66, 1N6630US Datasheet, Microsemi Corporation Distributor | |
1N6630US 의 관련 제품
 | FG11X7S2A475KRT06 | 4.7µF 100V 세라믹 커패시터 X7S 방사 0.217" L x 0.157" W(5.50mm x 4.00mm) | FG11X7S2A475KRT06.pdf | |
 | GRM1887U1H9R1DZ01D | 9.1pF 50V 세라믹 커패시터 U2J 0603(1608 미터법) 0.063" L x 0.031" W(1.60mm x 0.80mm) | GRM1887U1H9R1DZ01D.pdf | |
 | WMF1D39K-F | 3900pF Film Capacitor 65V 100V Polyester Axial 0.189" Dia x 0.563" L (4.80mm x 14.30mm) | WMF1D39K-F.pdf | |
 | 592D337X06R3R2T20H | 330µF Conformal Coated Tantalum Capacitors 6.3V 2824 (7260 Metric) 100 mOhm 0.283" L x 0.236" W (7.20mm x 6.00mm) | 592D337X06R3R2T20H.pdf | |
 | 445I32J12M00000 | 12MHz ±30ppm 수정 9pF 50옴 -40°C ~ 85°C 표면실장(SMD, SMT) 2-SMD | 445I32J12M00000.pdf | |
 | VLS252010ET-2R2M | 2.2µH Shielded Wirewound Inductor 1.2A 190 mOhm Max 1008 (2520 Metric) | VLS252010ET-2R2M.pdf | |
.jpg) | RT2512FKE0723R7L | RES SMD 23.7 OHM 1% 3/4W 2512 | RT2512FKE0723R7L.pdf | |
| TLR3A10WR007FTDG | RES SMD 0.007 OHM 1% 1W 2512 | TLR3A10WR007FTDG.pdf | |
 | 766163120GP | RES ARRAY 8 RES 12 OHM 16SOIC | 766163120GP.pdf | |
 | RSMF3JB22R0 | RES METAL OX 3W 22 OHM 5% AXL | RSMF3JB22R0.pdf | |
| B20J3R0 | RES 3 OHM 20W 5% AXIAL | B20J3R0.pdf | |
 | HLSR 20-P | Current Sensor 20A 1 Channel Hall Effect, Open Loop Bidirectional Module | HLSR 20-P.pdf |
