창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-1N753A-1 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 미준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | 1N746-759A-1;1N4370-7372A-1 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
제조업체 | Microsemi Corporation | |
계열 | - | |
포장 | 벌크 | |
부품 현황 | 유효 | |
전압 - 제너(공칭)(Vz) | 6.2V | |
허용 오차 | ±5% | |
전력 - 최대 | 500mW | |
임피던스(최대)(Zzt) | 3옴 | |
전류 - 역누설 @ Vr | 5µA @ 6.2V | |
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.1V @ 200mA | |
작동 온도 | -65°C ~ 175°C | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | DO-204AH, DO-35, 축 | |
공급 장치 패키지 | DO-35 | |
표준 포장 | 1 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | 1N753A-1 | |
관련 링크 | 1N75, 1N753A-1 Datasheet, Microsemi Corporation Distributor |
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![]() | 416F32022ILT | 32MHz ±20ppm 수정 12pF 200옴 -40°C ~ 85°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 416F32022ILT.pdf | |
![]() | RM 11AV | DIODE GEN PURP 600V 1.2A AXIAL | RM 11AV.pdf | |
![]() | ELL-5PS1R2N | 1.2µH Shielded Wirewound Inductor 2.5A 22 mOhm Nonstandard | ELL-5PS1R2N.pdf | |
![]() | 35215K6FT | RES SMD 5.6K OHM 1% 2W 2512 | 35215K6FT.pdf | |
![]() | RE1206DRE07287RL | RES SMD 287 OHM 0.5% 1/4W 1206 | RE1206DRE07287RL.pdf | |
![]() | RCWE0402R121FNEA | RES SMD 0.121 OHM 1% 1/8W 0402 | RCWE0402R121FNEA.pdf | |
4607X-101-473LF | RES ARRAY 6 RES 47K OHM 7SIP | 4607X-101-473LF.pdf | ||
![]() | WHB150FET | RES 150 OHM 1W 1% AXIAL | WHB150FET.pdf | |
![]() | CPL10R0200JE313 | RES 0.02 OHM 10W 5% AXIAL | CPL10R0200JE313.pdf |