창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-1N8026-GA | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 미준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | 1N8026-GA | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 다이오드, 정류기 - 단일 | |
제조업체 | GeneSiC Semiconductor | |
계열 | - | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
다이오드 유형 | 실리콘 카바이드 쇼트키 | |
전압 - DC 역방향(Vr)(최대) | 1200V(1.2kV) | |
전류 -평균 정류(Io) | 8A(DC) | |
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.6V @ 2.5A | |
속도 | 회복 시간 없음 > 500mA(Io) | |
역회복 시간(trr) | 0ns | |
전류 - 역누설 @ Vr | 10µA @ 1200V | |
정전 용량 @ Vr, F | 237pF @ 1V, 1MHz | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-257-3 | |
공급 장치 패키지 | TO-257 | |
작동 온도 - 접합 | -55°C ~ 250°C | |
표준 포장 | 10 | |
다른 이름 | 1242-1113 1N8026GA | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | 1N8026-GA | |
관련 링크 | 1N80, 1N8026-GA Datasheet, GeneSiC Semiconductor Distributor |
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![]() | VJ0603D121JLBAR | 120pF 100V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0603(1608 미터법) 0.063" L x 0.031" W(1.60mm x 0.80mm) | VJ0603D121JLBAR.pdf | |
![]() | BFC237964184 | 0.18µF Film Capacitor 220V 630V Polypropylene (PP), Metallized Radial 1.024" L x 0.236" W (26.00mm x 6.00mm) | BFC237964184.pdf | |
![]() | 416F480X3CAT | 48MHz ±15ppm 수정 10pF 100옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 416F480X3CAT.pdf | |
![]() | UP1B-6R8-R | 6.8µH Unshielded Wirewound Inductor 1.7A 89.7 mOhm Max Nonstandard | UP1B-6R8-R.pdf | |
![]() | 1638R-00G | 270µH Unshielded Molded Inductor 143mA 11 Ohm Max Axial | 1638R-00G.pdf | |
![]() | ERJ-8GEYJ825V | RES SMD 8.2M OHM 5% 1/4W 1206 | ERJ-8GEYJ825V.pdf | |
![]() | RT0402CRE07649RL | RES SMD 649 OHM 0.25% 1/16W 0402 | RT0402CRE07649RL.pdf | |
![]() | TNPW2010523RBETF | RES SMD 523 OHM 0.1% 0.4W 2010 | TNPW2010523RBETF.pdf | |
![]() | TNPW20107K68BETF | RES SMD 7.68K OHM 0.1% 0.4W 2010 | TNPW20107K68BETF.pdf | |
![]() | YC248-FR-0716K9L | RES ARRAY 8 RES 16.9K OHM 1606 | YC248-FR-0716K9L.pdf | |
![]() | Y1442800R000T0L | RES 800 OHM 1/2W 0.01% RADIAL | Y1442800R000T0L.pdf |