창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-1N8026-GA | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 미준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | 1N8026-GA | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 다이오드, 정류기 - 단일 | |
제조업체 | GeneSiC Semiconductor | |
계열 | - | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
다이오드 유형 | 실리콘 카바이드 쇼트키 | |
전압 - DC 역방향(Vr)(최대) | 1200V(1.2kV) | |
전류 -평균 정류(Io) | 8A(DC) | |
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.6V @ 2.5A | |
속도 | 회복 시간 없음 > 500mA(Io) | |
역회복 시간(trr) | 0ns | |
전류 - 역누설 @ Vr | 10µA @ 1200V | |
정전 용량 @ Vr, F | 237pF @ 1V, 1MHz | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-257-3 | |
공급 장치 패키지 | TO-257 | |
작동 온도 - 접합 | -55°C ~ 250°C | |
표준 포장 | 10 | |
다른 이름 | 1242-1113 1N8026GA | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | 1N8026-GA | |
관련 링크 | 1N80, 1N8026-GA Datasheet, GeneSiC Semiconductor Distributor |
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![]() | RPE5C2A470J2M1Z03A | 47pF 100V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 방사 0.197" L x 0.098" W(5.00mm x 2.50mm) | RPE5C2A470J2M1Z03A.pdf | |
![]() | 1N6376-E3/54 | TVS DIODE 12VWM 16.5VC 1.5KE | 1N6376-E3/54.pdf | |
![]() | SMCG170A-E3/9AT | TVS DIODE 170VWM 275VC SMC | SMCG170A-E3/9AT.pdf | |
![]() | NX3225SA-16.000000MHZ-T1 | 16MHz ±10ppm 수정 10pF 60옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | NX3225SA-16.000000MHZ-T1.pdf | |
![]() | 445A3XL14M31818 | 14.31818MHz ±30ppm 수정 12pF 50옴 -10°C ~ 60°C 표면실장(SMD, SMT) 2-SMD | 445A3XL14M31818.pdf | |
![]() | ASPI-4020S-5R1M-T | 5.1µH Shielded Wirewound Inductor 1.27A 85 mOhm Nonstandard | ASPI-4020S-5R1M-T.pdf | |
![]() | SCMS5D25-6R8 | 6.8µH Shielded Inductor 1.98A 70 mOhm Max Nonstandard | SCMS5D25-6R8.pdf | |
![]() | 2-1623821-6 | RES CHAS MNT 1.3K OHM 5% 750W | 2-1623821-6.pdf | |
![]() | MCR18ERTF61R9 | RES SMD 61.9 OHM 1% 1/4W 1206 | MCR18ERTF61R9.pdf | |
![]() | CRT1206-BY-2701ELF | RES SMD 2.7K OHM 0.1% 1/4W 1206 | CRT1206-BY-2701ELF.pdf | |
![]() | CMF5524K000BEBF | RES 24K OHM 1/2W 0.1% AXIAL | CMF5524K000BEBF.pdf |