창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-1N971BE3 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | 1N957B(-1)-1N992B(-1),e3 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
제조업체 | Microsemi Corporation | |
계열 | - | |
포장 | 벌크 | |
부품 현황 | 유효 | |
전압 - 제너(공칭)(Vz) | 27V | |
허용 오차 | ±5% | |
전력 - 최대 | 500mW | |
임피던스(최대)(Zzt) | 41옴 | |
전류 - 역누설 @ Vr | 5µA @ 20.6V | |
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.1V @ 200mA | |
작동 온도 | -65°C ~ 175°C | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | DO-204AH, DO-35, 축 | |
공급 장치 패키지 | DO-35(DO-204AH) | |
표준 포장 | 1 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | 1N971BE3 | |
관련 링크 | 1N97, 1N971BE3 Datasheet, Microsemi Corporation Distributor |
![]() | C1206C122G2GACTU | 1200pF 200V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 1206(3216 미터법) 0.126" L x 0.063" W(3.20mm x 1.60mm) | C1206C122G2GACTU.pdf | |
![]() | 445C33D12M00000 | 12MHz ±30ppm 수정 18pF 50옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) 2-SMD | 445C33D12M00000.pdf | |
![]() | 402F27112IDR | 27.12MHz ±10ppm 수정 18pF 200옴 -40°C ~ 85°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 402F27112IDR.pdf | |
![]() | SIT8008AIA3-XXS | 1MHz ~ 110MHz HCMOS, LVCMOS MEMS (Silicon) Programmable Oscillator Surface Mount 2.25 V ~ 3.63 V 4.5mA Standby | SIT8008AIA3-XXS.pdf | |
![]() | SBYV27-150-E3/54 | DIODE GEN PURP 150V 2A DO204AC | SBYV27-150-E3/54.pdf | |
![]() | PBSS5160DS,115 | TRANS 2PNP 60V 0.77A 6TSOP | PBSS5160DS,115.pdf | |
![]() | IXFK150N30P3 | MOSFET N-CH 300V 150A TO-264 | IXFK150N30P3.pdf | |
![]() | LQH43PN2R2M26L | 2.2µH Shielded Wirewound Inductor 2.5A 50.4 mOhm Max 1812 (4532 Metric) | LQH43PN2R2M26L.pdf | |
![]() | 2474R-07K | 3.3µH Unshielded Molded Inductor 4.7A 16 mOhm Max Axial | 2474R-07K.pdf | |
![]() | RMCF1206JT120R | RES SMD 120 OHM 5% 1/4W 1206 | RMCF1206JT120R.pdf | |
![]() | CRCW12069K09FKTB | RES SMD 9.09K OHM 1% 1/4W 1206 | CRCW12069K09FKTB.pdf | |
![]() | E3C-S10 5M | SENS 10CM INFRARED T-BEAM 5M CBL | E3C-S10 5M.pdf |