창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-1N976B | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 미준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | 1N957B(-1)-1N992B(-1),e3 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
제조업체 | Microsemi Corporation | |
계열 | - | |
포장 | 벌크 | |
부품 현황 | 유효 | |
전압 - 제너(공칭)(Vz) | 43V | |
허용 오차 | ±5% | |
전력 - 최대 | 500mW | |
임피던스(최대)(Zzt) | 93옴 | |
전류 - 역누설 @ Vr | 5µA @ 32.7V | |
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.1V @ 200mA | |
작동 온도 | -65°C ~ 175°C | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | DO-204AA, DO-7, 축 | |
공급 장치 패키지 | DO-7 | |
표준 포장 | 1 | |
다른 이름 | 1N976BMS | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | 1N976B | |
관련 링크 | 1N9, 1N976B Datasheet, Microsemi Corporation Distributor |
![]() | CL21B153KBANFNC | 0.015µF 50V 세라믹 커패시터 X7R 0805(2012 미터법) 0.079" L x 0.049" W(2.00mm x 1.25mm) | CL21B153KBANFNC.pdf | |
![]() | K560J15C0GK5UL2 | 56pF 200V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 방사 0.157" L x 0.098" W(4.00mm x 2.50mm) | K560J15C0GK5UL2.pdf | |
![]() | FA18NP01H182JNU06 | 1800pF 50V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 방사 0.157" L x 0.098" W(4.00mm x 2.50mm) | FA18NP01H182JNU06.pdf | |
![]() | K102J20C0GK5UH5 | 1000pF 200V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 방사 0.197" L x 0.126" W(5.00mm x 3.20mm) | K102J20C0GK5UH5.pdf | |
![]() | 12105A562FAT2A | 5600pF 50V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 1210(3225 미터법) 0.126" L x 0.098" W(3.20mm x 2.50mm) | 12105A562FAT2A.pdf | |
![]() | BK/AGC-1/8-R | FUSE GLASS 125MA 250VAC 3AB 3AG | BK/AGC-1/8-R.pdf | |
![]() | VS-MBRD340TRRPBF | DIODE SCHOTTKY 40V 3A DPAK | VS-MBRD340TRRPBF.pdf | |
![]() | SZMM3Z4V3T1G | DIODE ZENER 4.3V 200MW SOD323 | SZMM3Z4V3T1G.pdf | |
![]() | APTGT30X60T3G | IGBT MOD TRENCH 3PH BRIDGE SP3 | APTGT30X60T3G.pdf | |
![]() | 750341634 | 10mH @ 10kHz 2 Line Common Mode Choke Through Hole 1A DCR 510 mOhm | 750341634.pdf | |
![]() | ERA-8AEB103V | RES SMD 10K OHM 0.1% 1/4W 1206 | ERA-8AEB103V.pdf | |
![]() | TC164-FR-07383RL | RES ARRAY 4 RES 383 OHM 1206 | TC164-FR-07383RL.pdf |