Microsemi Corporation 1PMT4105/TR7
- 제조업체 부품 번호
- 1PMT4105/TR7
- 제조업 자
- Microsemi Corporation
- 제품 카테고리
- 다이오드- 제너 - 단일
- 간단한 설명
- DIODE ZENER 11V 1W DO216
- Datesheet 다운로드
- 다운로드
1PMT4105/TR7 가격 및 조달
가능 수량
1150 조각
배송 오늘
창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
- 시장 가격
- ₩ 850.65567
- 우리의 가격
- Quote by Email
We are the stock Distributor of 1PMT4105/TR7, we specialize in all series Microsemi Corporation electronic components. 1PMT4105/TR7 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for 1PMT4105/TR7, Please kindly submit an RFQ here or send us an email.
- 1PMT4105/TR7 주문 프로세스
- 문의 양식에 추가
- 견적 요청
- 우리는 24 시간 이내에 회신
- 당신은 순서를 확인
- 지불
- 주문 발송
1PMT4105/TR7 매개 변수
| 내부 부품 번호 | EIS-1PMT4105/TR7 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 미준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
| 지위 | New & Unused, Original Sealed | |
| 규격서 | 1PMT46,40,41xxE3 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
| 제조업체 | Microsemi Corporation | |
| 계열 | POWERMITE® | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 전압 - 제너(공칭)(Vz) | 11V | |
| 허용 오차 | ±5% | |
| 전력 - 최대 | 1W | |
| 임피던스(최대)(Zzt) | 200옴 | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 50nA @ 8.44V | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.1V @ 200mA | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | DO-216AA | |
| 공급 장치 패키지 | DO-216 | |
| 표준 포장 | 3,000 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | Email for details | |
| 대체 부품 (교체) | 1PMT4105/TR7 | |
| 관련 링크 | 1PMT41, 1PMT4105/TR7 Datasheet, Microsemi Corporation Distributor | |
1PMT4105/TR7 의 관련 제품
-Taiyo-Yuden-.jpg) | QMK212B7222MD-T | 2200pF 250V 세라믹 커패시터 X7R 0805(2012 미터법) 0.079" L x 0.049" W(2.00mm x 1.25mm) | QMK212B7222MD-T.pdf | |
 | MKP383322040JDI2B0 | 0.022µF Film Capacitor 200V 400V Polypropylene (PP), Metallized Radial 0.492" L x 0.158" W (12.50mm x 4.00mm) | MKP383322040JDI2B0.pdf | |
 | BFC233990044 | 0.022µF Film Capacitor 310V 630V Polypropylene (PP), Metallized Radial 0.689" L x 0.197" W (17.50mm x 5.00mm) | BFC233990044.pdf | |
 | AT-14.7456MDIJ-T | 14.7456MHz ±20ppm 수정 16pF 60옴 -40°C ~ 85°C AEC-Q200 표면실장(SMD, SMT) HC49/US | AT-14.7456MDIJ-T.pdf | |
 | ASTMHTV-27.000MHZ-ZC-E | 27MHz LVCMOS MEMS (Silicon) Oscillator Surface Mount 2.25 V ~ 3.63 V Enable/Disable | ASTMHTV-27.000MHZ-ZC-E.pdf | |
 | SIT8008AIE3-XXS | 1MHz ~ 110MHz HCMOS, LVCMOS MEMS (Silicon) Programmable Oscillator Surface Mount 2.25 V ~ 3.63 V 4.5mA Standby | SIT8008AIE3-XXS.pdf | |
 | BTA24-600BWRG | TRIAC ALTERNISTOR 600V TO220AB | BTA24-600BWRG.pdf | |
 | IMC1210EB3R3J | 3.3µH Unshielded Wirewound Inductor 260mA 1.2 Ohm Max 1210 (3225 Metric) | IMC1210EB3R3J.pdf | |
 | RG1005P-203-B-T5 | RES SMD 20K OHM 0.1% 1/16W 0402 | RG1005P-203-B-T5.pdf | |
.jpg) | RT0603WRD077K32L | RES SMD 7.32K OHM 1/10W 0603 | RT0603WRD077K32L.pdf | |
 | RCP1206B47R0GS6 | RES SMD 47 OHM 2% 11W 1206 | RCP1206B47R0GS6.pdf | |
 | Y00073K09000B0L | RES 3.09K OHM 0.6W 0.1% RADIAL | Y00073K09000B0L.pdf |
