Microsemi Corporation 1PMT4121CE3/TR13
- 제조업체 부품 번호
- 1PMT4121CE3/TR13
- 제조업 자
- Microsemi Corporation
- 제품 카테고리
- 다이오드- 제너 - 단일
- 간단한 설명
- DIODE ZENER 33V 1W DO216
- Datesheet 다운로드
- 다운로드
1PMT4121CE3/TR13 가격 및 조달
가능 수량
1150 조각
배송 오늘
창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
- 시장 가격
- ₩ 273.04992
- 우리의 가격
- Quote by Email
We are the stock Distributor of 1PMT4121CE3/TR13, we specialize in all series Microsemi Corporation electronic components. 1PMT4121CE3/TR13 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for 1PMT4121CE3/TR13, Please kindly submit an RFQ here or send us an email.
- 1PMT4121CE3/TR13 주문 프로세스
- 문의 양식에 추가
- 견적 요청
- 우리는 24 시간 이내에 회신
- 당신은 순서를 확인
- 지불
- 주문 발송
1PMT4121CE3/TR13 매개 변수
| 내부 부품 번호 | EIS-1PMT4121CE3/TR13 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
| 지위 | New & Unused, Original Sealed | |
| 규격서 | 1PMT46,40,41xxE3 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
| 제조업체 | Microsemi Corporation | |
| 계열 | POWERMITE® | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 전압 - 제너(공칭)(Vz) | 33V | |
| 허용 오차 | ±2% | |
| 전력 - 최대 | 1W | |
| 임피던스(최대)(Zzt) | 200옴 | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 10nA @ 25.08V | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.1V @ 200mA | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | DO-216AA | |
| 공급 장치 패키지 | DO-216 | |
| 표준 포장 | 12,000 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | Email for details | |
| 대체 부품 (교체) | 1PMT4121CE3/TR13 | |
| 관련 링크 | 1PMT4121, 1PMT4121CE3/TR13 Datasheet, Microsemi Corporation Distributor | |
1PMT4121CE3/TR13 의 관련 제품
 | 6SLG47M | 47µF 6.3V Aluminum - Polymer Capacitors 2917 (7343 Metric) 15 mOhm 2000 Hrs @ 105°C | 6SLG47M.pdf | |
.jpg) | 600F2R2AT250XT | 2.2pF 250V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0805(2012 미터법) 0.079" L x 0.049" W(2.00mm x 1.25mm) | 600F2R2AT250XT.pdf | |
 | BFC247932365 | 3.6µF Film Capacitor 100V 160V Polypropylene (PP), Metallized Radial 1.181" L x 0.532" W (30.00mm x 13.50mm) | BFC247932365.pdf | |
 | ECS-330-18-23A-EN-TR | 33MHz ±30ppm 수정 18pF 40옴 -40°C ~ 85°C 표면실장(SMD, SMT) 2-SMD, 무연(DFN, LCC) | ECS-330-18-23A-EN-TR.pdf | |
 | ASTMLPFL-18-16.000MHZ-EJ-E-T3 | 16MHz LVCMOS MEMS (Silicon) Oscillator Surface Mount 1.8V 4.1mA Enable/Disable | ASTMLPFL-18-16.000MHZ-EJ-E-T3.pdf | |
 | STPS2H100 | DIODE SCHOTTKY 100V 2A DO41 | STPS2H100.pdf | |
 | U3B-M3/57T | DIODE GEN PURP 100V 2A DO214AB | U3B-M3/57T.pdf | |
| PTVA127002EVV1XWSA1 | IC AMP RF LDMOS | PTVA127002EVV1XWSA1.pdf | |
 | MLG0603P47NJTD25 | 47nH Unshielded Multilayer Inductor 110mA 2.9 Ohm Max 0201 (0603 Metric) | MLG0603P47NJTD25.pdf | |
 | CRHV2010AF30M0FKE5 | RES SMD 30M OHM 1% 1/2W 2010 | CRHV2010AF30M0FKE5.pdf | |
.jpg) | CPF1206B59RE1 | RES SMD 59 OHM 0.1% 1/8W 1206 | CPF1206B59RE1.pdf | |
| BD4859N50150AHF | RF Balun 4.8GHz ~ 5.9GHz 50 / 150 Ohm 0404 (1010 Metric) | BD4859N50150AHF.pdf |
