Microsemi Corporation 1PMT5932AE3/TR13
- 제조업체 부품 번호
- 1PMT5932AE3/TR13
- 제조업 자
- Microsemi Corporation
- 제품 카테고리
- 다이오드- 제너 - 단일
- 간단한 설명
- DIODE ZENER 20V 3W DO216AA
- Datesheet 다운로드
- 다운로드
1PMT5932AE3/TR13 가격 및 조달
가능 수량
1150 조각
배송 오늘
창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
- 시장 가격
- ₩ 616.77158
- 우리의 가격
- Quote by Email
We are the stock Distributor of 1PMT5932AE3/TR13, we specialize in all series Microsemi Corporation electronic components. 1PMT5932AE3/TR13 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for 1PMT5932AE3/TR13, Please kindly submit an RFQ here or send us an email.
- 1PMT5932AE3/TR13 주문 프로세스
- 문의 양식에 추가
- 견적 요청
- 우리는 24 시간 이내에 회신
- 당신은 순서를 확인
- 지불
- 주문 발송
1PMT5932AE3/TR13 매개 변수
| 내부 부품 번호 | EIS-1PMT5932AE3/TR13 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
| 지위 | New & Unused, Original Sealed | |
| 규격서 | 1PMT5913B-1PMT5956B | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
| 제조업체 | Microsemi Corporation | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 전압 - 제너(공칭)(Vz) | 20V | |
| 허용 오차 | ±10% | |
| 전력 - 최대 | 3W | |
| 임피던스(최대)(Zzt) | 14옴 | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 1µA @ 15.2V | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.2V @ 200mA | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | DO-216AA | |
| 공급 장치 패키지 | DO-216AA | |
| 표준 포장 | 12,000 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | Email for details | |
| 대체 부품 (교체) | 1PMT5932AE3/TR13 | |
| 관련 링크 | 1PMT5932, 1PMT5932AE3/TR13 Datasheet, Microsemi Corporation Distributor | |
1PMT5932AE3/TR13 의 관련 제품
 | K154Z10Y5VF53L2 | 0.15µF 50V 세라믹 커패시터 Y5V(F) 방사 0.142" L x 0.091" W(3.60mm x 2.30mm) | K154Z10Y5VF53L2.pdf | |
 | C911U560JVSDCAWL40 | 56pF 400VAC 세라믹 커패시터 SL 방사형, 디스크 0.315" Dia(8.00mm) | C911U560JVSDCAWL40.pdf | |
| B32537B3684K | 0.68µF Film Capacitor 90V 250V Polyester, Polyethylene Terephthalate (PET), Metallized Axial 0.370" Dia x 0.827" L (9.40mm x 21.00mm) | B32537B3684K.pdf | |
 | 7M32020001 | 32MHz ±15ppm 수정 8pF -10°C ~ 75°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 7M32020001.pdf | |
 | 416F37033CTR | 37MHz ±30ppm 수정 6pF 200옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 416F37033CTR.pdf | |
 | XBHAWT-00-0000-000PS60Z7 | LED Lighting XLamp® XB-H White, Warm 3000K 2.9V 700mA 110° 2-SMD, No Lead, Exposed Pad | XBHAWT-00-0000-000PS60Z7.pdf | |
 | B82724A2202N1 | 6.8mH @ 10kHz 2 Line Common Mode Choke Through Hole 2A DCR 170 mOhm (Typ) | B82724A2202N1.pdf | |
 | LQH3NPN1R0MJRL | 1µH Shielded Wirewound Inductor 1.23A 48 mOhm Max 1212 (3030 Metric) | LQH3NPN1R0MJRL.pdf | |
 | IMC1812ER680J | 68µH Unshielded Wirewound Inductor 130mA 6 Ohm Max 1812 (4532 Metric) | IMC1812ER680J.pdf | |
.jpg) | CRGH1206J2R4 | RES SMD 2.4 OHM 5% 1/2W 1206 | CRGH1206J2R4.pdf | |
.jpg) | AT0603DRE07113RL | RES SMD 113 OHM 0.5% 1/10W 0603 | AT0603DRE07113RL.pdf | |
 | HMC658LP2E | RF Attenuator 20dB ±2dB 0 ~ 25GHz 50 Ohm 6-TDFN Exposed Pad | HMC658LP2E.pdf |
