창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-1PMT5935B/TR13 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 미준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | 1PMT5913B-1PMT5956B | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
제조업체 | Microsemi Corporation | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
전압 - 제너(공칭)(Vz) | 27V | |
허용 오차 | ±5% | |
전력 - 최대 | 3W | |
임피던스(최대)(Zzt) | 23옴 | |
전류 - 역누설 @ Vr | 1µA @ 20.6V | |
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.2V @ 200mA | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | DO-216AA | |
공급 장치 패키지 | DO-216AA | |
표준 포장 | 12,000 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | 1PMT5935B/TR13 | |
관련 링크 | 1PMT593, 1PMT5935B/TR13 Datasheet, Microsemi Corporation Distributor |
VJ0805D2R7DXPAP | 2.7pF 250V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0805(2012 미터법) 0.079" L x 0.049" W(2.00mm x 1.25mm) | VJ0805D2R7DXPAP.pdf | ||
B37979N1331J054 | 330pF 100V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 방사 0.217" L x 0.197" W(5.50mm x 5.00mm) | B37979N1331J054.pdf | ||
TPSV686M025R0200 | 68µF Molded Tantalum Capacitors 25V 2924 (7361 Metric) 200 mOhm 0.287" L x 0.240" W (7.30mm x 6.10mm) | TPSV686M025R0200.pdf | ||
T491D226K025AS | 22µF Molded Tantalum Capacitors 25V 2917 (7343 Metric) 800 mOhm 0.287" L x 0.169" W (7.30mm x 4.30mm) | T491D226K025AS.pdf | ||
B57237S509M | ICL 5 OHM 20% 5A 15MM | B57237S509M.pdf | ||
403I35E26M00000 | 26MHz ±30ppm 수정 20pF 60옴 -40°C ~ 85°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 403I35E26M00000.pdf | ||
445A35G14M31818 | 14.31818MHz ±30ppm 수정 30pF 50옴 -10°C ~ 60°C 표면실장(SMD, SMT) 2-SMD | 445A35G14M31818.pdf | ||
SS3P4HE3/84A | DIODE SCHOTTKY 40V 3A DO220AA | SS3P4HE3/84A.pdf | ||
SMAJ4735A-TP | DIODE ZENER 6.2V 1W DO214AC | SMAJ4735A-TP.pdf | ||
2510R-04G | 150nH Unshielded Inductor 725mA 200 mOhm Max 2-SMD | 2510R-04G.pdf | ||
AT0402CRD0712K4L | RES SMD 12.4K OHM 1/16W 0402 | AT0402CRD0712K4L.pdf | ||
4108-20DB | RF Attenuator 20dB ±0.4 dB 1.1MHz ~ 8GHz 50 Ohm 2W BNC In-Line Module | 4108-20DB.pdf |