Microsemi Corporation 1PMT5952E3/TR13
- 제조업체 부품 번호
- 1PMT5952E3/TR13
- 제조업 자
- Microsemi Corporation
- 제품 카테고리
- 다이오드- 제너 - 단일
- 간단한 설명
- DIODE ZENER 130V 3W DO216AA
- Datesheet 다운로드
- 다운로드
1PMT5952E3/TR13 가격 및 조달
가능 수량
1150 조각
배송 오늘
창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
- 시장 가격
- ₩ 616.77158
- 우리의 가격
- Quote by Email
We are the stock Distributor of 1PMT5952E3/TR13, we specialize in all series Microsemi Corporation electronic components. 1PMT5952E3/TR13 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for 1PMT5952E3/TR13, Please kindly submit an RFQ here or send us an email.
- 1PMT5952E3/TR13 주문 프로세스
- 문의 양식에 추가
- 견적 요청
- 우리는 24 시간 이내에 회신
- 당신은 순서를 확인
- 지불
- 주문 발송
1PMT5952E3/TR13 매개 변수
| 내부 부품 번호 | EIS-1PMT5952E3/TR13 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
| 지위 | New & Unused, Original Sealed | |
| 규격서 | 1PMT5913B-1PMT5956B | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
| 제조업체 | Microsemi Corporation | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 전압 - 제너(공칭)(Vz) | 130V | |
| 허용 오차 | ±20% | |
| 전력 - 최대 | 3W | |
| 임피던스(최대)(Zzt) | 450옴 | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 1µA @ 98.8V | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.2V @ 200mA | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | DO-216AA | |
| 공급 장치 패키지 | DO-216AA | |
| 표준 포장 | 12,000 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | Email for details | |
| 대체 부품 (교체) | 1PMT5952E3/TR13 | |
| 관련 링크 | 1PMT595, 1PMT5952E3/TR13 Datasheet, Microsemi Corporation Distributor | |
1PMT5952E3/TR13 의 관련 제품
 | FA28X8R2A472KNU06 | 4700pF 100V 세라믹 커패시터 X8R 방사 0.157" L x 0.098" W(4.00mm x 2.50mm) | FA28X8R2A472KNU06.pdf | |
 | VJ0805D1R7CLCAP | 1.7pF 200V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0805(2012 미터법) 0.079" L x 0.049" W(2.00mm x 1.25mm) | VJ0805D1R7CLCAP.pdf | |
 | 1825AC102KAT1A\SB | 1000pF 1000V(1kV) 세라믹 커패시터 X7R 1825(4564 미터법) 0.177" L x 0.252" W(4.50mm x 6.40mm) | 1825AC102KAT1A\SB.pdf | |
 | 18127C104JAT2A | 0.10µF 500V 세라믹 커패시터 X7R 1812(4532 미터법) 0.177" L x 0.126" W(4.50mm x 3.20mm) | 18127C104JAT2A.pdf | |
 | LQH32CN2R2M23L | 2.2µH Unshielded Wirewound Inductor 600mA 169 mOhm Max 1210 (3225 Metric) | LQH32CN2R2M23L.pdf | |
 | ELL-6GG1R5N | 1.5µH Shielded Wirewound Inductor 2.25A 36 mOhm Nonstandard | ELL-6GG1R5N.pdf | |
 | ERJ-S1DF1202U | RES SMD 12K OHM 1% 3/4W 2010 | ERJ-S1DF1202U.pdf | |
 | RSF100JB-73-3R3 | RES 3.3 OHM 1W 5% AXIAL | RSF100JB-73-3R3.pdf | |
 | HBA10MFZRE | RES 10.0M OHM 0.8W 1% RADIAL | HBA10MFZRE.pdf | |
 | SM102031001JE | RES 1K OHM 1W 5% RADIAL | SM102031001JE.pdf | |
 | ADRF6703ACPZ-R7 | RF Modulator IC 1.55GHz ~ 2.65GHz 40-VFQFN Exposed Pad, CSP | ADRF6703ACPZ-R7.pdf | |
 | 26PCBFA2G | Pressure Sensor ±5 PSI (±34.47 kPa) Compound Male - 0.2" (5mm) Tube 0 mV ~ 50 mV (10V) 4-SIP Module | 26PCBFA2G.pdf |
