창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-1SS190TE85LF | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | 1SS190 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 다이오드, 정류기 - 단일 | |
제조업체 | Toshiba Semiconductor and Storage | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
다이오드 유형 | 표준 | |
전압 - DC 역방향(Vr)(최대) | 80V | |
전류 -평균 정류(Io) | 100mA | |
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.2V @ 100mA | |
속도 | 소형 신호 =< 200mA(Io), 모든 속도 | |
역회복 시간(trr) | 4ns | |
전류 - 역누설 @ Vr | 500nA @ 80V | |
정전 용량 @ Vr, F | 4pF @ 0V, 1MHz | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | |
공급 장치 패키지 | SC-59-3 | |
작동 온도 - 접합 | 125°C(최대) | |
표준 포장 | 3,000 | |
다른 이름 | 1SS190(TE85L,F) 1SS190TE85LFTR | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | 1SS190TE85LF | |
관련 링크 | 1SS190, 1SS190TE85LF Datasheet, Toshiba Semiconductor and Storage Distributor |
C0402X7R1A101K020BC | 100pF 10V 세라믹 커패시터 X7R 01005(0402 미터법) 0.016" L x 0.008" W(0.40mm x 0.20mm) | C0402X7R1A101K020BC.pdf | ||
DE21XKY220JA2BM01F | 22pF 250VAC 세라믹 커패시터 SL 방사형, 디스크 0.315" Dia(8.00mm) | DE21XKY220JA2BM01F.pdf | ||
250R05L910JV4T | 91pF 25V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0201(0603 미터법) 0.024" L x 0.012" W(0.60mm x 0.30mm) | 250R05L910JV4T.pdf | ||
CMOZ6V2 BK | DIODE ZENER 6.2V 300MW SOD523 | CMOZ6V2 BK.pdf | ||
1N5735C | DIODE ZENER 9.1V 500MW DO35 | 1N5735C.pdf | ||
SRR0805-680K | 68µH Shielded Wirewound Inductor 600mA 440 mOhm Max Nonstandard | SRR0805-680K.pdf | ||
4922R-33K | 470µH Unshielded Wirewound Inductor 350mA 3.25 Ohm Max 2-SMD | 4922R-33K.pdf | ||
RGC1206FTC3K16 | RES SMD 3.16K OHM 1% 1/4W 1206 | RGC1206FTC3K16.pdf | ||
MCR10EZHF1021 | RES SMD 1.02K OHM 1% 1/8W 0805 | MCR10EZHF1021.pdf | ||
AA2010FK-0743KL | RES SMD 43K OHM 1% 3/4W 2010 | AA2010FK-0743KL.pdf | ||
PTN1206E68R1BST1 | RES SMD 68.1 OHM 0.1% 0.4W 1206 | PTN1206E68R1BST1.pdf | ||
H4P2K05DZA | RES 2.05K OHM 1W 0.5% AXIAL | H4P2K05DZA.pdf |