창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-1SS383(TE85L,F) | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | 1SS383 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 다이오드, 정류기 - 어레이 | |
제조업체 | Toshiba Semiconductor and Storage | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
다이오드 구성 | 독립형 2개 | |
다이오드 유형 | 쇼트키 | |
전압 - DC 역방향(Vr)(최대) | 40V | |
전류 - 평균 정류(Io)(다이오드당) | 100mA | |
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 600mV @ 100mA | |
속도 | 소형 신호 =< 200mA(Io), 모든 속도 | |
역회복 시간(trr) | - | |
전류 - 역누설 @ Vr | 5µA @ 40V | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | SC-82 | |
공급 장치 패키지 | USQ | |
표준 포장 | 3,000 | |
다른 이름 | 1SS383 (TE85L,F) 1SS383(TE85LF)TR 1SS383TE85LF | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | 1SS383(TE85L,F) | |
관련 링크 | 1SS383(, 1SS383(TE85L,F) Datasheet, Toshiba Semiconductor and Storage Distributor |
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![]() | FQD3N60CTM_WS | MOSFET N-CH 600V 2.4A DPAK | FQD3N60CTM_WS.pdf | |
![]() | LQW04AN13NH00D | 13nH Unshielded Inductor 280mA 340 mOhm Max Nonstandard | LQW04AN13NH00D.pdf | |
![]() | ERA-6ARB752V | RES SMD 7.5K OHM 0.1% 1/8W 0805 | ERA-6ARB752V.pdf | |
![]() | CRA06E0831K50JTA | RES ARRAY 4 RES 1.5K OHM 1206 | CRA06E0831K50JTA.pdf |