창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-1SV307(TPH3,F) | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | 1SV307 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | RF 다이오드 | |
제조업체 | Toshiba Semiconductor and Storage | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
다이오드 유형 | 표준 - 단일 | |
전압 - 피크 역(최대) | 30V | |
전류 - 최대 | 50mA | |
정전 용량 @ Vr, F | 0.5pF @ 1V, 1MHz | |
저항 @ If, F | 1.5옴 @ 10mA, 100MHz | |
내전력(최대) | - | |
패키지/케이스 | SC-76, SOD-323 | |
공급 장치 패키지 | USC | |
표준 포장 | 3,000 | |
다른 이름 | 1SV307(TPH3F)TR | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | 1SV307(TPH3,F) | |
관련 링크 | 1SV307(, 1SV307(TPH3,F) Datasheet, Toshiba Semiconductor and Storage Distributor |
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![]() | CBR02C409C8GAC | 4pF 10V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0201(0603 미터법) 0.024" L x 0.012" W(0.60mm x 0.30mm) | CBR02C409C8GAC.pdf | |
![]() | AQ11EM4R7BA1ME | 4.7pF 150V 세라믹 커패시터 M 0606(1616 미터법) 0.055" L x 0.055" W(1.40mm x 1.40mm) | AQ11EM4R7BA1ME.pdf | |
![]() | 5AK3R0CDAAA | 3pF 100V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 방사형, 디스크 0.157" Dia(4.00mm) | 5AK3R0CDAAA.pdf | |
![]() | 416F40633ALT | 40.61MHz ±30ppm 수정 12pF 100옴 -10°C ~ 60°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 416F40633ALT.pdf | |
![]() | FXO-HC730R-19.9 | 19.9MHz HCMOS XO (Standard) Oscillator Surface Mount 3.3V 32mA Enable/Disable | FXO-HC730R-19.9.pdf | |
![]() | 1N5928B G | DIODE ZENER 13V 1.25W DO204AL | 1N5928B G.pdf | |
![]() | RMCF1206JG1M80 | RES SMD 1.8M OHM 5% 1/4W 1206 | RMCF1206JG1M80.pdf | |
![]() | CRCW0402374RFKTD | RES SMD 374 OHM 1% 1/16W 0402 | CRCW0402374RFKTD.pdf | |
![]() | CRCW080578R7FKTA | RES SMD 78.7 OHM 1% 1/8W 0805 | CRCW080578R7FKTA.pdf | |
![]() | CMF6036R500FKEB | RES 36.5 OHM 1W 1% AXIAL | CMF6036R500FKEB.pdf | |
![]() | ABNTC-0805-224J-4350F-T | NTC Thermistor 220k 0805 (2012 Metric) | ABNTC-0805-224J-4350F-T.pdf |