창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-224PHB850K2H | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | PHB Series Datasheet | |
종류 | 커패시터 | |
제품군 | 필름 커패시터 | |
제조업체 | Illinois Capacitor | |
계열 | PHB | |
포장 | 벌크 | |
정전 용량 | 0.22µF | |
허용 오차 | ±10% | |
정격 전압 - AC | 450V | |
정격 전압 - DC | 850V | |
유전체 소재 | 폴리프로필렌(PP), 금속화 | |
등가 직렬 저항(ESR) | 8.3m옴 | |
작동 온도 | -40°C ~ 100°C | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | 방사 | |
크기/치수 | 1.260" L x 0.433" W(32.00mm x 11.00mm) | |
높이 - 장착(최대) | 0.787"(20.00mm) | |
종단 | PC 핀 | |
리드 간격 | 1.083"(27.50mm) | |
응용 제품 | 고주파, 스위칭 | |
특징 | - | |
표준 포장 | 400 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | 224PHB850K2H | |
관련 링크 | 224PHB, 224PHB850K2H Datasheet, Illinois Capacitor Distributor |
![]() | VJ0402D120KXCAC | 12pF 200V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0402(1005 미터법) 0.040" L x 0.020" W(1.02mm x 0.51mm) | VJ0402D120KXCAC.pdf | |
![]() | RFCS04022200CJTT1 | 2.2pF Silicon Capacitor 50V 0402 (1005 Metric) 0.040" L x 0.020" W (1.02mm x 0.51mm) | RFCS04022200CJTT1.pdf | |
![]() | ESD5V0LB-TP | TVS DIODE 5VWM 16VC DFN1006-2 | ESD5V0LB-TP.pdf | |
![]() | CDSOT23-T36LC | TVS DIODE 36VWM 76.8VC SMD | CDSOT23-T36LC.pdf | |
![]() | 416F40633AKT | 40.61MHz ±30ppm 수정 8pF 100옴 -10°C ~ 60°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 416F40633AKT.pdf | |
![]() | DLP0QSA350HL2D | 2 Line Common Mode Choke Surface Mount 35 Ohm @ 100MHz 100mA DCR 2.75 Ohm | DLP0QSA350HL2D.pdf | |
![]() | 100R-152H | 1.5µH Unshielded Inductor 114mA 1.2 Ohm Max Nonstandard, 2 Lead | 100R-152H.pdf | |
![]() | RT0603DRE0743K2L | RES SMD 43.2KOHM 0.5% 1/10W 0603 | RT0603DRE0743K2L.pdf | |
![]() | TNPW20103K24BEEY | RES SMD 3.24K OHM 0.1% 0.4W 2010 | TNPW20103K24BEEY.pdf | |
![]() | TNPW2512105RBEEY | RES SMD 105 OHM 0.1% 1/2W 2512 | TNPW2512105RBEEY.pdf | |
![]() | CRCW080521K0FKTA | RES SMD 21K OHM 1% 1/8W 0805 | CRCW080521K0FKTA.pdf | |
![]() | CA415020R00KS73 | RES 20 OHM 6W 10% AXIAL | CA415020R00KS73.pdf |