Johanson Technology Inc. 251R15S0R6BV4E
.jpg)
- 제조업체 부품 번호
- 251R15S0R6BV4E
- 제조업 자
- Johanson Technology Inc.
- 제품 카테고리
- 세라믹 커패시터
- 간단한 설명
- 0.60pF 250V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0805(2012 미터법) 0.080" L x 0.050" W(2.03mm x 1.27mm)
- Datesheet 다운로드
- 다운로드
251R15S0R6BV4E 가격 및 조달
가능 수량
1150 조각
배송 오늘
창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
- 시장 가격
- ₩ 111.32025
- 우리의 가격
- Quote by Email
We are the stock Distributor of 251R15S0R6BV4E, we specialize in all series Johanson Technology Inc. electronic components. 251R15S0R6BV4E can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for 251R15S0R6BV4E, Please kindly submit an RFQ here or send us an email.
- 251R15S0R6BV4E 주문 프로세스
- 문의 양식에 추가
- 견적 요청
- 우리는 24 시간 이내에 회신
- 당신은 순서를 확인
- 지불
- 주문 발송
251R15S0R6BV4E 매개 변수
| 내부 부품 번호 | EIS-251R15S0R6BV4E | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
| 지위 | New & Unused, Original Sealed | |
| 규격서 | MLCC High-Q Caps Datasheet | |
| 제품 교육 모듈 | RF Capacitor Modeling Software | |
| 종류 | 커패시터 | |
| 제품군 | 세라믹 커패시터 | |
| 제조업체 | Johanson Technology Inc. | |
| 계열 | S | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 정전 용량 | 0.60pF | |
| 허용 오차 | ±0.1pF | |
| 전압 - 정격 | 250V | |
| 온도 계수 | C0G, NP0 | |
| 실장 유형 | 표면실장, MLCC | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 125°C | |
| 응용 제품 | RF, 마이크로웨이브, 고주파수 | |
| 등급 | - | |
| 패키지/케이스 | 0805(2012 미터법) | |
| 크기/치수 | 0.080" L x 0.050" W(2.03mm x 1.27mm) | |
| 높이 - 장착(최대) | - | |
| 두께(최대) | 0.046"(1.17mm) | |
| 리드 간격 | - | |
| 특징 | 높은 Q값, 저손실 | |
| 리드 유형 | - | |
| 표준 포장 | 4,000 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | Email for details | |
| 대체 부품 (교체) | 251R15S0R6BV4E | |
| 관련 링크 | 251R15S, 251R15S0R6BV4E Datasheet, Johanson Technology Inc. Distributor | |
251R15S0R6BV4E 의 관련 제품
 | C1005JB1H103M050BB | 10000pF 50V 세라믹 커패시터 JB 0402(1005 미터법) 0.039" L x 0.020" W(1.00mm x 0.50mm) | C1005JB1H103M050BB.pdf | |
.jpg) | TR3C686K6R3C0200 | 68µF Molded Tantalum Capacitors 6.3V 2312 (6032 Metric) 200 mOhm 0.236" L x 0.126" W (6.00mm x 3.20mm) | TR3C686K6R3C0200.pdf | |
 | 445I25F24M57600 | 24.576MHz ±20ppm 수정 24pF 40옴 -40°C ~ 85°C 표면실장(SMD, SMT) 2-SMD | 445I25F24M57600.pdf | |
 | 416F50013CTR | 50MHz ±10ppm 수정 6pF 100옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 416F50013CTR.pdf | |
| 416F50022CDT | 50MHz ±20ppm 수정 18pF 100옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 416F50022CDT.pdf | |
 | PDTA144VU,115 | TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT323 | PDTA144VU,115.pdf | |
 | SIA923AEDJ-T1-GE3 | MOSFET 2P-CH 20V 4.5A SC70-6L | SIA923AEDJ-T1-GE3.pdf | |
 | VLF10040T-331MR67 | 330µH Shielded Wirewound Inductor 670mA 870 mOhm Max Nonstandard | VLF10040T-331MR67.pdf | |
 | MCR18EZPF2940 | RES SMD 294 OHM 1% 1/4W 1206 | MCR18EZPF2940.pdf | |
 | ERJ-S06F1502V | RES SMD 15K OHM 1% 1/8W 0805 | ERJ-S06F1502V.pdf | |
.jpg) | AT0402BRD07121RL | RES SMD 121 OHM 0.1% 1/16W 0402 | AT0402BRD07121RL.pdf | |
 | CRCW2010221KFKEFHP | RES SMD 221K OHM 1% 1W 2010 | CRCW2010221KFKEFHP.pdf |
