Diodes Incorporated 2DB1182Q-13

2DB1182Q-13
제조업체 부품 번호
2DB1182Q-13
제조업 자
제품 카테고리
트랜지스터(BJT) - 단일
간단한 설명
TRANS PNP 32V 2A TO252
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2DB1182Q-13 매개 변수
내부 부품 번호EIS-2DB1182Q-13
무연 여부 / RoHS 준수 여부무연 / RoHS 준수
수분 민감도 레벨(MSL)1(무제한)
생산 현황 (라이프 사이클)In Production
지위New & Unused, Original Sealed
규격서2DB1182Q
특정유해물질규제지침(RoHS) 정보RoHS Cert of Compliance
PCN 기타Copper Bond Wire and Wafer Source 07/Nov/2013
EDA/CAD 모델 Accelerated Designs에서 다운로드
종류이산 소자 반도체 제품
제품군트랜지스터(BJT) - 단일
제조업체Diodes Incorporated
계열-
포장테이프 및 릴(TR)
부품 현황유효
트랜지스터 유형PNP
전류 - 콜렉터(Ic)(최대)2A
전압 - 콜렉터 방출기 항복(최대)32V
Vce 포화(최대) @ Ib, Ic800mV @ 200mA, 2A
전류 - 콜렉터 차단(최대)1µA(ICBO)
DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce120 @ 500mA, 3V
전력 - 최대10W
주파수 - 트랜지션110MHz
실장 유형표면실장(SMD, SMT)
패키지/케이스TO-252-3, DPak(2리드(lead)+탭), SC-63
공급 장치 패키지TO-252
표준 포장 2,500
다른 이름2DB1182Q-13DITR
2DB1182Q13
무게0.001 KG
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대체 부품 (교체)2DB1182Q-13
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