Microsemi Corporation 2EZ110D2E3/TR12
- 제조업체 부품 번호
- 2EZ110D2E3/TR12
- 제조업 자
- Microsemi Corporation
- 제품 카테고리
- 다이오드- 제너 - 단일
- 간단한 설명
- DIODE ZENER 110V 2W DO204AL
- Datesheet 다운로드
- 다운로드
2EZ110D2E3/TR12 가격 및 조달
가능 수량
1150 조각
배송 오늘
창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
- 시장 가격
- ₩ 1,017.45075
- 우리의 가격
- Quote by Email
We are the stock Distributor of 2EZ110D2E3/TR12, we specialize in all series Microsemi Corporation electronic components. 2EZ110D2E3/TR12 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for 2EZ110D2E3/TR12, Please kindly submit an RFQ here or send us an email.
- 2EZ110D2E3/TR12 주문 프로세스
- 문의 양식에 추가
- 견적 요청
- 우리는 24 시간 이내에 회신
- 당신은 순서를 확인
- 지불
- 주문 발송
2EZ110D2E3/TR12 매개 변수
| 내부 부품 번호 | EIS-2EZ110D2E3/TR12 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
| 지위 | New & Unused, Original Sealed | |
| 규격서 | 2EZ3.6D5-2EZ200D5,e3 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
| 제조업체 | Microsemi Corporation | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 전압 - 제너(공칭)(Vz) | 110V | |
| 허용 오차 | ±2% | |
| 전력 - 최대 | 2W | |
| 임피던스(최대)(Zzt) | 250옴 | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 500nA @ 83.6V | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.2V @ 200mA | |
| 작동 온도 | -65°C ~ 150°C | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | DO-204AL, DO-41, 축 | |
| 공급 장치 패키지 | DO-204AL(DO-41) | |
| 표준 포장 | 4,000 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | Email for details | |
| 대체 부품 (교체) | 2EZ110D2E3/TR12 | |
| 관련 링크 | 2EZ110D, 2EZ110D2E3/TR12 Datasheet, Microsemi Corporation Distributor | |
2EZ110D2E3/TR12 의 관련 제품
 | HVMLS401M100EK1D | 400µF 100V Aluminum Capacitors FlatPack, Tabbed 10000 Hrs @ 85°C | HVMLS401M100EK1D.pdf | |
 | LD103C106KAB2A | 10µF 25V 세라믹 커패시터 X7R 1210(3225 미터법) 0.126" L x 0.098" W(3.20mm x 2.50mm) | LD103C106KAB2A.pdf | |
 | 12065A561KAT2A | 560pF 50V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 1206(3216 미터법) 0.126" L x 0.063" W(3.20mm x 1.60mm) | 12065A561KAT2A.pdf | |
 | MKP385518125JPM2T0 | 1.8µF Film Capacitor 450V 1250V (1.25kV) Polypropylene (PP), Metallized Radial 1.654" L x 0.945" W (42.00mm x 24.00mm) | MKP385518125JPM2T0.pdf | |
 | P4KE400CA-B | TVS DIODE 342VWM 548VC AXIAL | P4KE400CA-B.pdf | |
.jpg) | SMCJ6059A/TR13 | TVS DIODE 58VWM 92VC SMCJ | SMCJ6059A/TR13.pdf | |
 | ERZ-V09D680 | VARISTOR 68V 1KA DISC 10MM | ERZ-V09D680.pdf | |
 | 445C3XB24M57600 | 24.576MHz ±30ppm 수정 13pF 40옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) 2-SMD | 445C3XB24M57600.pdf | |
 | 416F32012ATR | 32MHz ±10ppm 수정 6pF 200옴 -10°C ~ 60°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 416F32012ATR.pdf | |
| SIT8208AI-82-33E-50.000000T | OSC XO 3.3V 50MHZ OE | SIT8208AI-82-33E-50.000000T.pdf | |
 | RB717FT106 | DIODE ARRAY SCHOTTKY 40V UMD3 | RB717FT106.pdf | |
| MS46SR-20-785-Q1-10X-10R-NC-FN | SYSTEM | MS46SR-20-785-Q1-10X-10R-NC-FN.pdf |
