Microsemi Corporation 2EZ11D5E3/TR12
- 제조업체 부품 번호
- 2EZ11D5E3/TR12
- 제조업 자
- Microsemi Corporation
- 제품 카테고리
- 다이오드- 제너 - 단일
- 간단한 설명
- DIODE ZENER 11V 2W DO204AL
- Datesheet 다운로드
- 다운로드
2EZ11D5E3/TR12 가격 및 조달
가능 수량
1150 조각
배송 오늘
창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
- 시장 가격
- ₩ 833.97600
- 우리의 가격
- Quote by Email
We are the stock Distributor of 2EZ11D5E3/TR12, we specialize in all series Microsemi Corporation electronic components. 2EZ11D5E3/TR12 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for 2EZ11D5E3/TR12, Please kindly submit an RFQ here or send us an email.
- 2EZ11D5E3/TR12 주문 프로세스
- 문의 양식에 추가
- 견적 요청
- 우리는 24 시간 이내에 회신
- 당신은 순서를 확인
- 지불
- 주문 발송
2EZ11D5E3/TR12 매개 변수
| 내부 부품 번호 | EIS-2EZ11D5E3/TR12 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
| 지위 | New & Unused, Original Sealed | |
| 규격서 | 2EZ3.6D5-2EZ200D5,e3 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
| 제조업체 | Microsemi Corporation | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 전압 - 제너(공칭)(Vz) | 11V | |
| 허용 오차 | ±5% | |
| 전력 - 최대 | 2W | |
| 임피던스(최대)(Zzt) | 4옴 | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 1µA @ 8.4V | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.2V @ 200mA | |
| 작동 온도 | -65°C ~ 150°C | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | DO-204AL, DO-41, 축 | |
| 공급 장치 패키지 | DO-204AL(DO-41) | |
| 표준 포장 | 4,000 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | Email for details | |
| 대체 부품 (교체) | 2EZ11D5E3/TR12 | |
| 관련 링크 | 2EZ11D5, 2EZ11D5E3/TR12 Datasheet, Microsemi Corporation Distributor | |
2EZ11D5E3/TR12 의 관련 제품
 | C1812X102KHRACTU | 1000pF 3000V(3kV) 세라믹 커패시터 X7R 1812(4532 미터법) 0.181" L x 0.126" W(4.60mm x 3.20mm) | C1812X102KHRACTU.pdf | |
 | TAJR475M004RNJ | 4.7µF Molded Tantalum Capacitors 4V 0805 (2012 Metric) 12 Ohm 0.081" L x 0.051" W (2.05mm x 1.30mm) | TAJR475M004RNJ.pdf | |
 | SMBJ12CAHE3/5B | TVS DIODE 12VWM 19.9VC SMB | SMBJ12CAHE3/5B.pdf | |
 | LP041F33IDT | 4.194304MHz ±30ppm 수정 18pF 120옴 -40°C ~ 85°C 표면실장(SMD, SMT) HC49/US | LP041F33IDT.pdf | |
.jpg) | CX2016DB24000D0GEJZ1 | 24MHz ±15ppm 수정 8pF 150옴 -10°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | CX2016DB24000D0GEJZ1.pdf | |
 | EPC2032ENGRT | TRANS GAN 100V 48A BUMPED DIE | EPC2032ENGRT.pdf | |
.jpg) | KTR10EZPF8203 | RES SMD 820K OHM 1% 1/8W 0805 | KTR10EZPF8203.pdf | |
.jpg) | RT2010FKE0741R2L | RES SMD 41.2 OHM 1% 1/2W 2010 | RT2010FKE0741R2L.pdf | |
 | TNPU0805909RBZEN00 | RES SMD 909 OHM 0.1% 1/8W 0805 | TNPU0805909RBZEN00.pdf | |
 | CFR-12JR-52-2M | RES 2M OHM 1/6W 5% AXIAL | CFR-12JR-52-2M.pdf | |
| H4P1K1FZA | RES 1.1K OHM 1W 1% AXIAL | H4P1K1FZA.pdf | |
 | EM14A0D-B24-L064S | ENCODER OPT ROTARY 64PPR W/SW | EM14A0D-B24-L064S.pdf |
