Microsemi Corporation 2EZ19DE3/TR12
- 제조업체 부품 번호
- 2EZ19DE3/TR12
- 제조업 자
- Microsemi Corporation
- 제품 카테고리
- 다이오드- 제너 - 단일
- 간단한 설명
- DIODE ZENER 19V 2W DO204AL
- Datesheet 다운로드
- 다운로드
2EZ19DE3/TR12 가격 및 조달
가능 수량
1150 조각
배송 오늘
창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
- 시장 가격
- ₩ 847.56675
- 우리의 가격
- Quote by Email
We are the stock Distributor of 2EZ19DE3/TR12, we specialize in all series Microsemi Corporation electronic components. 2EZ19DE3/TR12 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for 2EZ19DE3/TR12, Please kindly submit an RFQ here or send us an email.
- 2EZ19DE3/TR12 주문 프로세스
- 문의 양식에 추가
- 견적 요청
- 우리는 24 시간 이내에 회신
- 당신은 순서를 확인
- 지불
- 주문 발송
2EZ19DE3/TR12 매개 변수
| 내부 부품 번호 | EIS-2EZ19DE3/TR12 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
| 지위 | New & Unused, Original Sealed | |
| 규격서 | 2EZ3.6D5-2EZ200D5,e3 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
| 제조업체 | Microsemi Corporation | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 전압 - 제너(공칭)(Vz) | 19V | |
| 허용 오차 | ±20% | |
| 전력 - 최대 | 2W | |
| 임피던스(최대)(Zzt) | 11옴 | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 500nA @ 14.4V | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.2V @ 200mA | |
| 작동 온도 | -65°C ~ 150°C | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | DO-204AL, DO-41, 축 | |
| 공급 장치 패키지 | DO-204AL(DO-41) | |
| 표준 포장 | 4,000 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | Email for details | |
| 대체 부품 (교체) | 2EZ19DE3/TR12 | |
| 관련 링크 | 2EZ19D, 2EZ19DE3/TR12 Datasheet, Microsemi Corporation Distributor | |
2EZ19DE3/TR12 의 관련 제품
.jpg) | CA0508KRNPO9BN330 | 33pF Isolated Capacitor 4 Array 50V C0G, NP0 0805 (2012 Metric) 0.079" L x 0.049" W (2.00mm x 1.25mm) | CA0508KRNPO9BN330.pdf | |
-F.jpg) | CL21B105KAFSFNE | 1µF 25V 세라믹 커패시터 X7R 0805(2012 미터법) 0.079" L x 0.049" W(2.00mm x 1.25mm) | CL21B105KAFSFNE.pdf | |
 | DFJ-90-W | FUSE 90A 600V FAST CLASS J | DFJ-90-W.pdf | |
 | LA30QS6004TI | FUSE CARTRIDGE 600A 300VAC/VDC | LA30QS6004TI.pdf | |
 | 5TT 8-R | FUSE CERAMIC 8A 125VAC 5X20MM | 5TT 8-R.pdf | |
 | 416F27123AST | 27.12MHz ±20ppm 수정 시리즈 200옴 -10°C ~ 60°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 416F27123AST.pdf | |
 | CSD85312Q3E | MOSFET 2N-CH 20V 39A 8VSON | CSD85312Q3E.pdf | |
-TDK.jpg) | MLF2012C220MTD25 | 22µH Shielded Multilayer Inductor 5mA 900 mOhm Max 0805 (2012 Metric) | MLF2012C220MTD25.pdf | |
 | FP1505R1-R25-R | 250nH Unshielded Wirewound Inductor 53A 0.47 mOhm Nonstandard | FP1505R1-R25-R.pdf | |
 | RH05020R00FE02 | RES CHAS MNT 20 OHM 1% 50W | RH05020R00FE02.pdf | |
 | CRCW201051K0FKTF | RES SMD 51K OHM 1% 3/4W 2010 | CRCW201051K0FKTF.pdf | |
 | RG1608P-1651-P-T1 | RES SMD 1.65K OHM 1/10W 0603 | RG1608P-1651-P-T1.pdf |
