Microsemi Corporation 2EZ200D2/TR12
- 제조업체 부품 번호
- 2EZ200D2/TR12
- 제조업 자
- Microsemi Corporation
- 제품 카테고리
- 다이오드- 제너 - 단일
- 간단한 설명
- DIODE ZENER 200V 2W DO204AL
- Datesheet 다운로드
- 다운로드
2EZ200D2/TR12 가격 및 조달
가능 수량
1150 조각
배송 오늘
창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
- 시장 가격
- ₩ 1,988.32225
- 우리의 가격
- Quote by Email
We are the stock Distributor of 2EZ200D2/TR12, we specialize in all series Microsemi Corporation electronic components. 2EZ200D2/TR12 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for 2EZ200D2/TR12, Please kindly submit an RFQ here or send us an email.
- 2EZ200D2/TR12 주문 프로세스
- 문의 양식에 추가
- 견적 요청
- 우리는 24 시간 이내에 회신
- 당신은 순서를 확인
- 지불
- 주문 발송
2EZ200D2/TR12 매개 변수
| 내부 부품 번호 | EIS-2EZ200D2/TR12 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 미준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
| 지위 | New & Unused, Original Sealed | |
| 규격서 | 2EZ3.6D5-2EZ200D5,e3 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
| 제조업체 | Microsemi Corporation | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 전압 - 제너(공칭)(Vz) | 200V | |
| 허용 오차 | ±2% | |
| 전력 - 최대 | 2W | |
| 임피던스(최대)(Zzt) | 900옴 | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 500nA @ 152V | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.2V @ 200mA | |
| 작동 온도 | -65°C ~ 150°C | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | DO-204AL, DO-41, 축 | |
| 공급 장치 패키지 | DO-204AL(DO-41) | |
| 표준 포장 | 4,000 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | Email for details | |
| 대체 부품 (교체) | 2EZ200D2/TR12 | |
| 관련 링크 | 2EZ200, 2EZ200D2/TR12 Datasheet, Microsemi Corporation Distributor | |
2EZ200D2/TR12 의 관련 제품
 | SA101A331KAA | 330pF 100V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 축방향 0.100" Dia x 0.170" L(2.54mm x 4.32mm) | SA101A331KAA.pdf | |
 | 1206ZC125KAT2A | 1.2µF 10V 세라믹 커패시터 X7R 1206(3216 미터법) 0.126" L x 0.063" W(3.20mm x 1.60mm) | 1206ZC125KAT2A.pdf | |
 | VJ0402D180MXAAJ | 18pF 50V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0402(1005 미터법) 0.040" L x 0.020" W(1.02mm x 0.51mm) | VJ0402D180MXAAJ.pdf | |
 | D121J33C0GH6VJ5R | 120pF 100V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 방사형, 디스크 0.335" Dia(8.50mm) | D121J33C0GH6VJ5R.pdf | |
 | ECS-250-20-4VX | 25MHz ±30ppm 수정 20pF 40옴 -10°C ~ 70°C 스루홀 HC49/US | ECS-250-20-4VX.pdf | |
 | ISC1210BN39NM | 39nH Shielded Wirewound Inductor 530mA 240 mOhm Max 1210 (3225 Metric) | ISC1210BN39NM.pdf | |
 | EL827M-V | Optoisolator Transistor Output 5000Vrms 2 Channel 8-DIP | EL827M-V.pdf | |
 | RMCF1210FT432K | RES SMD 432K OHM 1% 1/3W 1210 | RMCF1210FT432K.pdf | |
,-0612.jpg) | PRG3216P-3160-D-T5 | RES SMD 316 OHM 1W 1206 WIDE | PRG3216P-3160-D-T5.pdf | |
.jpg) | CRCW06031M15FKEB | RES SMD 1.15M OHM 1% 1/10W 0603 | CRCW06031M15FKEB.pdf | |
 | 4116R-1-625 | RES ARRAY 8 RES 6.2M OHM 16DIP | 4116R-1-625.pdf | |
| Y0075100R000B9L | RES 100 OHM 0.3W 0.1% RADIAL | Y0075100R000B9L.pdf |
