Microsemi Corporation 2EZ24D10E3/TR12
- 제조업체 부품 번호
- 2EZ24D10E3/TR12
- 제조업 자
- Microsemi Corporation
- 제품 카테고리
- 다이오드- 제너 - 단일
- 간단한 설명
- DIODE ZENER 24V 2W DO204AL
- Datesheet 다운로드
- 다운로드
2EZ24D10E3/TR12 가격 및 조달
가능 수량
1150 조각
배송 오늘
창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
- 시장 가격
- ₩ 847.56675
- 우리의 가격
- Quote by Email
We are the stock Distributor of 2EZ24D10E3/TR12, we specialize in all series Microsemi Corporation electronic components. 2EZ24D10E3/TR12 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for 2EZ24D10E3/TR12, Please kindly submit an RFQ here or send us an email.
- 2EZ24D10E3/TR12 주문 프로세스
- 문의 양식에 추가
- 견적 요청
- 우리는 24 시간 이내에 회신
- 당신은 순서를 확인
- 지불
- 주문 발송
2EZ24D10E3/TR12 매개 변수
| 내부 부품 번호 | EIS-2EZ24D10E3/TR12 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
| 지위 | New & Unused, Original Sealed | |
| 규격서 | 2EZ3.6D5-2EZ200D5,e3 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
| 제조업체 | Microsemi Corporation | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 전압 - 제너(공칭)(Vz) | 24V | |
| 허용 오차 | ±10% | |
| 전력 - 최대 | 2W | |
| 임피던스(최대)(Zzt) | 13옴 | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 500nA @ 18.2V | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.2V @ 200mA | |
| 작동 온도 | -65°C ~ 150°C | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | DO-204AL, DO-41, 축 | |
| 공급 장치 패키지 | DO-204AL(DO-41) | |
| 표준 포장 | 4,000 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | Email for details | |
| 대체 부품 (교체) | 2EZ24D10E3/TR12 | |
| 관련 링크 | 2EZ24D1, 2EZ24D10E3/TR12 Datasheet, Microsemi Corporation Distributor | |
2EZ24D10E3/TR12 의 관련 제품
-1.8.jpg) | CGA5L2X7R1E225M160AE | 2.2µF 25V 세라믹 커패시터 X7R 1206(3216 미터법) 0.126" L x 0.063" W(3.20mm x 1.60mm) | CGA5L2X7R1E225M160AE.pdf | |
 | RCE5C2A561J0A2H03B | 560pF 100V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 방사 0.142" L x 0.098" W(3.60mm x 2.50mm) | RCE5C2A561J0A2H03B.pdf | |
 | P6SMB36A-M3/5B | TVS DIODE 30.8VWM 49.9VC DO-214A | P6SMB36A-M3/5B.pdf | |
.jpg) | CX2016DB24576D0FLJC1 | 24.576MHz ±10ppm 수정 8pF 150옴 -30°C ~ 85°C AEC-Q200 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | CX2016DB24576D0FLJC1.pdf | |
 | 416F40033ADR | 40MHz ±30ppm 수정 18pF 100옴 -10°C ~ 60°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 416F40033ADR.pdf | |
 | AST3TQ-T-25.000MHZ-50-SW-T2 | 25MHz Clipped Sine Wave TCXO Oscillator Surface Mount 3.3V 7mA | AST3TQ-T-25.000MHZ-50-SW-T2.pdf | |
 | SI4056DY-T1-GE3 | MOSFET N-CH 100V 11.1A 8SOIC | SI4056DY-T1-GE3.pdf | |
.jpg) | LQG15HN82NJ02D | 82nH Unshielded Multilayer Inductor 150mA 1.6 Ohm Max 0402 (1005 Metric) | LQG15HN82NJ02D.pdf | |
 | ACPL-K30T-060E | Gate Driver Optical Coupling 5000Vrms 1 Channel 8-SO Stretched | ACPL-K30T-060E.pdf | |
.jpg) | PHP00805H1492BST1 | RES SMD 14.9K OHM 0.1% 5/8W 0805 | PHP00805H1492BST1.pdf | |
 | RCP0603B39R0GS6 | RES SMD 39 OHM 2% 3.9W 0603 | RCP0603B39R0GS6.pdf | |
 | WW1JT3R00 | RES 3 OHM 1W 5% AXIAL | WW1JT3R00.pdf |
