창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-2EZ4.3D5E3/TR12 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | 2EZ3.6D5-2EZ200D5,e3 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
제조업체 | Microsemi Corporation | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
전압 - 제너(공칭)(Vz) | 4.3V | |
허용 오차 | ±5% | |
전력 - 최대 | 2W | |
임피던스(최대)(Zzt) | 4.5옴 | |
전류 - 역누설 @ Vr | 20µA @ 1V | |
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.2V @ 200mA | |
작동 온도 | -65°C ~ 150°C | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | DO-204AL, DO-41, 축 | |
공급 장치 패키지 | DO-204AL(DO-41) | |
표준 포장 | 4,000 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | 2EZ4.3D5E3/TR12 | |
관련 링크 | 2EZ4.3D, 2EZ4.3D5E3/TR12 Datasheet, Microsemi Corporation Distributor |
![]() | GL250F35CET | 25MHz ±30ppm 수정 20pF 30옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) HC49/US | GL250F35CET.pdf | |
![]() | BSB044N08NN3 G | MOSFET N-CH 80V 18A WDSON-2 | BSB044N08NN3 G.pdf | |
![]() | 52-257-004 | LC (Pi) EMI Filter 3rd Order Low Pass 4 Channel C = 2000pF ~ 5200pF 20A Barrier Block, 4 Position | 52-257-004.pdf | |
![]() | MLF2012DR12JTD25 | 120nH Shielded Multilayer Inductor 300mA 200 mOhm Max 0805 (2012 Metric) | MLF2012DR12JTD25.pdf | |
![]() | CRCW1210390RJNEAHP | RES SMD 390 OHM 5% 3/4W 1210 | CRCW1210390RJNEAHP.pdf | |
![]() | RP73D2B40R2BTDF | RES SMD 40.2 OHM 0.1% 1/4W 1206 | RP73D2B40R2BTDF.pdf | |
![]() | RT1206WRB074K48L | RES SMD 4.48KOHM 0.05% 1/4W 1206 | RT1206WRB074K48L.pdf | |
![]() | RCP1206B39R0GS2 | RES SMD 39 OHM 2% 11W 1206 | RCP1206B39R0GS2.pdf | |
![]() | EXB-2HV162JV | RES ARRAY 8 RES 1.6K OHM 1506 | EXB-2HV162JV.pdf | |
![]() | CMF5586R600DHR6 | RES 86.6 OHM 1/2W 0.5% AXIAL | CMF5586R600DHR6.pdf | |
![]() | P51-750-A-A-P-4.5OVP-000-000 | Pressure Sensor 750 PSI (5171.07 kPa) Absolute Male - 1/4" (6.35mm) NPT 0.5 V ~ 4.5 V Cylinder | P51-750-A-A-P-4.5OVP-000-000.pdf | |
![]() | 2455R70430822 | AUTO RESET THERMOSTAT | 2455R70430822.pdf |