창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-2EZ51D10/TR12 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 미준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | 2EZ3.6D5-2EZ200D5,e3 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
제조업체 | Microsemi Corporation | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
전압 - 제너(공칭)(Vz) | 51V | |
허용 오차 | ±10% | |
전력 - 최대 | 2W | |
임피던스(최대)(Zzt) | 48옴 | |
전류 - 역누설 @ Vr | 500nA @ 38.8V | |
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.2V @ 200mA | |
작동 온도 | -65°C ~ 150°C | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | DO-204AL, DO-41, 축 | |
공급 장치 패키지 | DO-204AL(DO-41) | |
표준 포장 | 4,000 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | 2EZ51D10/TR12 | |
관련 링크 | 2EZ51D, 2EZ51D10/TR12 Datasheet, Microsemi Corporation Distributor |
![]() | VJ0603D100FXXAJ | 10pF 25V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0603(1608 미터법) 0.063" L x 0.031" W(1.60mm x 0.80mm) | VJ0603D100FXXAJ.pdf | |
![]() | C0603C0G1E1R2B030BF | 1.2pF 25V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0201(0603 미터법) 0.024" L x 0.012" W(0.60mm x 0.30mm) | C0603C0G1E1R2B030BF.pdf | |
VG121030H620DP | VARISTOR 41V 280A 1210 | VG121030H620DP.pdf | ||
![]() | 405I35D13M82400 | 13.824MHz ±30ppm 수정 18pF 60옴 -40°C ~ 85°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 405I35D13M82400.pdf | |
![]() | EDF1DM-E3/45 | DIODE GPP 1A 200V 50NS 4DIP | EDF1DM-E3/45.pdf | |
![]() | 1SR159-200TE25 | DIODE GEN PURP 200V 1A PMDS | 1SR159-200TE25.pdf | |
![]() | 750311457 | TRANS FLYBACK LT3748LT3575 50UH | 750311457.pdf | |
![]() | HI0603T220R-10 | 22 Ohm Impedance Ferrite Bead 0603 (1608 Metric) Surface Mount Power Line 6A 1 Lines DCR -40°C ~ 125°C | HI0603T220R-10.pdf | |
![]() | ELJ-FAR56MF2 | 560nH Unshielded Wirewound Inductor 275mA 490 mOhm Max 1210 (3225 Metric) | ELJ-FAR56MF2.pdf | |
![]() | 750311907 | 1.2mH Unshielded Wirewound Inductor 200mA 1.1 Ohm Radial | 750311907.pdf | |
![]() | CRCW121086K6FKTA | RES SMD 86.6K OHM 1% 1/2W 1210 | CRCW121086K6FKTA.pdf | |
![]() | CRGV2512F845K | RES SMD 845K OHM 1% 1W 2512 | CRGV2512F845K.pdf |