Microsemi Corporation 2EZ51D2E3/TR12
- 제조업체 부품 번호
- 2EZ51D2E3/TR12
- 제조업 자
- Microsemi Corporation
- 제품 카테고리
- 다이오드- 제너 - 단일
- 간단한 설명
- DIODE ZENER 51V 2W DO204AL
- Datesheet 다운로드
- 다운로드
2EZ51D2E3/TR12 가격 및 조달
가능 수량
1150 조각
배송 오늘
창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
- 시장 가격
- ₩ 1,017.45075
- 우리의 가격
- Quote by Email
We are the stock Distributor of 2EZ51D2E3/TR12, we specialize in all series Microsemi Corporation electronic components. 2EZ51D2E3/TR12 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for 2EZ51D2E3/TR12, Please kindly submit an RFQ here or send us an email.
- 2EZ51D2E3/TR12 주문 프로세스
- 문의 양식에 추가
- 견적 요청
- 우리는 24 시간 이내에 회신
- 당신은 순서를 확인
- 지불
- 주문 발송
2EZ51D2E3/TR12 매개 변수
| 내부 부품 번호 | EIS-2EZ51D2E3/TR12 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
| 지위 | New & Unused, Original Sealed | |
| 규격서 | 2EZ3.6D5-2EZ200D5,e3 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
| 제조업체 | Microsemi Corporation | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 전압 - 제너(공칭)(Vz) | 51V | |
| 허용 오차 | ±2% | |
| 전력 - 최대 | 2W | |
| 임피던스(최대)(Zzt) | 48옴 | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 500nA @ 38.8V | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.2V @ 200mA | |
| 작동 온도 | -65°C ~ 150°C | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | DO-204AL, DO-41, 축 | |
| 공급 장치 패키지 | DO-204AL(DO-41) | |
| 표준 포장 | 4,000 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | Email for details | |
| 대체 부품 (교체) | 2EZ51D2E3/TR12 | |
| 관련 링크 | 2EZ51D2, 2EZ51D2E3/TR12 Datasheet, Microsemi Corporation Distributor | |
2EZ51D2E3/TR12 의 관련 제품
 | B41231A3689M | 68000µF 10V Aluminum Capacitors Radial, Can - Snap-In 2000 Hrs @ 85°C | B41231A3689M.pdf | |
 | VJ0603D240MXBAP | 24pF 100V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0603(1608 미터법) 0.063" L x 0.031" W(1.60mm x 0.80mm) | VJ0603D240MXBAP.pdf | |
 | 595D685X0020B2T | 6.8µF Conformal Coated Tantalum Capacitors 20V 1611 (4028 Metric) 950 mOhm 0.157" L x 0.110" W (4.00mm x 2.80mm) | 595D685X0020B2T.pdf | |
| SMDJ18A-HRA | TVS DIODE 18VWM 29.2VC DO214AB | SMDJ18A-HRA.pdf | |
 | 445C35G14M31818 | 14.31818MHz ±30ppm 수정 30pF 50옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) 2-SMD | 445C35G14M31818.pdf | |
 | STD10NM60ND | MOSFET N-CH 600V 8A DPAK | STD10NM60ND.pdf | |
 | PM2120-121K-RC | 120µH Unshielded Toroidal Inductor 5.8A 39 mOhm Max Nonstandard | PM2120-121K-RC.pdf | |
| SCRH4D28-330 | 33µH Shielded Inductor 950mA 378 mOhm Max Nonstandard | SCRH4D28-330.pdf | |
 | ADW1224W | General Purpose Relay SPST-NO (1 Form A) 24VDC Coil Through Hole | ADW1224W.pdf | |
.jpg) | RV1206FR-071M8L | RES SMD 1.8M OHM 1% 1/4W 1206 | RV1206FR-071M8L.pdf | |
.jpg) | RT0603BRB071K18L | RES SMD 1.18KOHM 0.1% 1/10W 0603 | RT0603BRB071K18L.pdf | |
| P51-500-S-Z-MD-5V-000-000 | Pressure Sensor 500 PSI (3447.38 kPa) Sealed Gauge Male - 1/4" (6.35mm) NPT 1 V ~ 5 V Cylinder | P51-500-S-Z-MD-5V-000-000.pdf |
