창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-2EZ6.2D10E3/TR12 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | 2EZ3.6D5-2EZ200D5,e3 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
제조업체 | Microsemi Corporation | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
전압 - 제너(공칭)(Vz) | 6.2V | |
허용 오차 | ±10% | |
전력 - 최대 | 2W | |
임피던스(최대)(Zzt) | 1.5옴 | |
전류 - 역누설 @ Vr | 5µA @ 3V | |
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.2V @ 200mA | |
작동 온도 | -65°C ~ 150°C | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | DO-204AL, DO-41, 축 | |
공급 장치 패키지 | DO-204AL(DO-41) | |
표준 포장 | 4,000 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | 2EZ6.2D10E3/TR12 | |
관련 링크 | 2EZ6.2D1, 2EZ6.2D10E3/TR12 Datasheet, Microsemi Corporation Distributor |
GL036F23IDT | 3.579545MHz ±20ppm 수정 18pF 150옴 -40°C ~ 85°C 표면실장(SMD, SMT) HC49/US | GL036F23IDT.pdf | ||
402F30722IKR | 30.72MHz ±20ppm 수정 8pF 100옴 -40°C ~ 85°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 402F30722IKR.pdf | ||
SIT3808AC-C-28NX | 1MHz ~ 80MHz LVCMOS, LVTTL MEMS VCXO Programmable Oscillator Surface Mount 2.8V 33mA | SIT3808AC-C-28NX.pdf | ||
NSTB1002DXV5T1G | TRANS NPN PREBIAS/PNP 0.5W SOT55 | NSTB1002DXV5T1G.pdf | ||
MJE181G | TRANS NPN 60V 3A TO225AA | MJE181G.pdf | ||
7427154 | Hinged (Snap On), Key Required Chassis Mount Ferrite Core 130 Ohm @ 100MHz ID 0.630" Dia (16.00mm) OD 1.693" W x 1.259" H (43.00mm x 32.00mm) Length 0.787" (20.00mm) | 7427154.pdf | ||
P1812-274J | 270µH Unshielded Inductor 100mA 12.72 Ohm Max Nonstandard | P1812-274J.pdf | ||
ERA-2AEB1021X | RES SMD 1.02KOHM 0.1% 1/16W 0402 | ERA-2AEB1021X.pdf | ||
AC1206FR-07150KL | RES SMD 150K OHM 1% 1/4W 1206 | AC1206FR-07150KL.pdf | ||
AA0603JR-0712KL | RES SMD 12K OHM 5% 1/10W 0603 | AA0603JR-0712KL.pdf | ||
CMF5534K800FHRE70 | RES 34.8K OHM 1/2W 1% AXIAL | CMF5534K800FHRE70.pdf | ||
CP00255K000JB14 | RES 5K OHM 25W 5% AXIAL | CP00255K000JB14.pdf |